白国栋
- 作品数：39 被引量：81H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- UV-LIGA技术加工340GHz行波管折叠波导慢波结构的研究
- UV-LIAG技术是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔，电子注通道和输出波导等)的方法之一，本文研究了在UV-LIAG技术中，曝光量对SU-8胶模的影响分析原因，得出最佳工艺，并对340GHz的折叠波导进行了初步的实验研...
- 李含雁白国栋李兴辉蔡军胡银富冯进军
- 关键词：折叠波导行波管慢波结构太赫兹波
- 一种X射线管电极装置及其制作方法
- 本发明提供的X射线管电极装置包括可伐环，可伐环具有纵切面为曲线的连接部。可伐环的一端通过气密热封方式和玻壳连接，另一端通过氩弧焊接方式与电极金属盖气密结合。在不改变玻壳与电极金属盖之间直线间距的情况下，大大增加了氩弧焊接...
- 聂洋洋王瑞海白国栋李杰
- 文献传递
- 场发射阴极及其应用的回顾与展望被引量：17
- 2015年
- 本文综述了Spindt阴极、碳纳米管、碳纤维等场发射阴极的发展历史及国内外最新研究进展,以及以场发射阴极作为电子源,在行波管、X射线管、显示器件、太赫兹真空器件及真空纳米三极管中应用的发展情况。根据场发射阴极研究现状,分别分析了场发射阴极各自具有的优势,以及其在电子器件中应用存在的问题,并探讨了相应的改进措施。
- 李兴辉白国栋李含雁丁明清冯进军廖复疆
- 关键词：场发射阴极X射线管显示器件
- 一种准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极的制作方法
- 本发明公开了一种准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极的制作方法。该阴极包括阴极基底、场发射体、绝缘体和栅极，制作方法包括：以光刻刻蚀或激光打孔加工栅极，将栅极和阴极基底通过绝缘体隔离、并封装一体，而后在阴极基底上沉积缓冲...
- 李兴辉蔡军白国栋丁明清冯进军
- 场发射阴极微焦点X射线管初步研究被引量：6
- 2016年
- 本文研究目标是实现碳纳米管场发射阴极、微焦点、快速反应X射线管,实现目标参数为工作电压40kV,工作电流1mA,X射线焦斑尺寸直径小于0.5mm。通过模拟计算,确定了碳纳米管阴极,金属网格栅极,双环圈聚焦极,阳极的结构方案。并在碳纳米管阴极研制,金属栅网加工,电子枪装配等方面进行了初步研究,为实现X射线整管奠定基础。
- 李兴辉胡银富蔡军白国栋寇建勇冯进军廖复疆
- 关键词：场发射阴极碳纳米管微焦点X射线管
- Spindt阴极研制中的清洗技术
- 以大电流强发射为特点的Spindt阴极,在初期老炼时容易由于短路、漏电和打火而失效。分析认为引起失效的一个重要原因,是在双向沉积尖锥及牺牲层剥离过程中,金属碎屑在发射尖锥表面及空腔中产生附着,而这种附着没有在随后的传统纯...
- 李兴辉白国栋李含雁丁明清冯进军廖复疆
- 关键词：牺牲层超声波清洗
- 文献传递
- 一种折叠波导慢波结构、器件及设计方法
- 本发明实施方式公开了一种折叠波导慢波结构、器件及设计方法，所述折叠慢波结构包括由栅体限定的多个几何周期性结构的波导内腔，所述波导内腔包括连通的直波导段和连接波导段；所述波导内腔包括有衰减区域；所述衰减区域宽边两相对栅体壁...
- 杜英华白国栋蔡军张小青杨永亮
- 一种自对准栅极碳纳米管/纳米线场发射阴极制作方法
- 本发明公开一种自对准栅极碳纳米管/纳米线场发射阴极制作方法。该阴极包括阴极基底、场发射体、绝缘体和栅极。阴极的制作方法包括如下步骤：以光刻刻蚀工艺或激光打孔加工牺牲层/金属栅极，将栅极和阴极基底通过绝缘体隔离，并组装为一...
- 李兴辉蔡军白国栋丁明清冯进军
- 文献传递
- 一种抑制二次电子发射的离子束表面处理设备和方法
- 一种抑制二次电子发射的离子束表面处理设备和方法，属于真空电子技术领域。包括处于前置真空的机械泵、二级真空分子泵及样品台组件，样品台组件上方设有溅射沉积组件及离子源，该设备使用的方法为：系统抽真空，样品加热，充氩气，离子源...
- 丁明清冯进军白国栋瞿波
- 一种准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极的制作方法
- 本发明公开了一种准集成栅控碳纳米管/纳米线场发射阴极的制作方法。该阴极包括阴极基底、场发射体、绝缘体和栅极，制作方法包括：以光刻刻蚀或激光打孔加工栅极，将栅极和阴极基底通过绝缘体隔离、并封装一体，而后在阴极基底上沉积缓冲...
- 李兴辉蔡军白国栋丁明清冯进军
- 文献传递
