秦国平
- 作品数：23 被引量：48H指数：4
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学化学工程更多>>
- Mg掺杂对Zn1-xMgxO薄膜结构和光电性质的影响
- 利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了不同掺杂浓度的ZnMgO(0≤x≤0.09)薄膜,借助X射线衍射(XRD)、透射谱测试、霍耳测试等手段对ZnO薄膜的结构及光电性质进行了研究。实验结果表明,所制备的薄膜均具有轴择优...
- 黄桂娟孔春阳秦国平阮海波
- 关键词：晶格常数透射谱
- 文献传递
- P型ZnO薄膜的制备及特性研究被引量：2
- 2007年
- ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料，是一种理想的短波长发光器件材料，在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景，实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术，在直径为100mm的单晶Si（110）衬底上制备ZnO薄膜，薄膜厚度为1．8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜（SEM）观察表明，离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷，粗糙度明显增加，但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射（XRD）给出样品具有对应于ZnO（002）面的衍射峰，表明薄膜具有较好的C轴择优取向。在不同温度下（500℃，650℃，800℃，900℃，950℃），
- 孔春阳王楠朱仁江秦国平戴特力南貌阮海波
- 关键词：离子注入P型ZNO薄膜退火射频磁控溅射
- p型ZnO∶Mn-N薄膜的制备及特性研究被引量：1
- 2009年
- 用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO：Mn薄膜，继而进行N离子注入和退火处理，成功实现了ZnO薄膜的Mn—N两步法共掺杂和P型转变。利用X射线衍射（XRD）、Hall测试、分光光度计、X射线光电子能谱（XPS）等测试手段对其性能进行了分析。结果表明：所测样品均具有单一的c轴择优取向，薄膜在退火后没有检测到其它杂质相的生成；薄膜在650℃经10～30min退火时均可实现P型转变，空穴浓度可达10^16-10^17cm^-3，表明650℃可能为ZnO：Mn—N体系中N离子达到电激活成为有效受主的温度；XPS能谱证明了Mn^2＋、N^3-离子的掺入；在热退火作用下，部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位，形成N-Zn或N-Mn键，是样品转变为P型的依据；P型ZnO：Mn—N薄膜室温下的禁带宽度为3．16eV，相对未掺杂ZnO的禁带宽度3．29eV明显减小。
- 阮海波孔春阳秦国平南貌
- 关键词：离子注入电激活P型ZNO
- C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响被引量：2
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄膜中存在形式。结果表明,所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的c轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加,薄膜的n型导电性能不断增强,其主要原因是ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。
- 卞萍孔春阳李万俊秦国平张萍徐庆
- 关键词：电学特性XPSRAMAN
- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂的研究进展
- 2011年
- Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。
- 黄桂娟孔春阳秦国平
- 关键词：宽禁带半导体材料P型掺杂
- Al-N共掺杂p型ZnO薄膜制备及电学性能的研究被引量：1
- 2012年
- 利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。
- 梁薇薇孔春阳秦国平阮海波
- 关键词：XPS
- Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：4
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO:(Ag,N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究.结果表明,在AgZn和NO所形成的众多受主复合体中,AgZn-NO受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化能也相对较小,因此,AgZn-NO受主对的形成是Ag-N共掺ZnO体系实现p型导电的主要原因.研究发现,当ZnO:(Ag,N)体系有额外间隙N原子存在时,AgZn-NO受主对容易与Ni形成AgZn-(N2)O施主型缺陷,该施主缺陷的形成降低了Ag-N共掺ZnO的掺杂效率因而不利于p型导电.当间隙H引入到ZnO:(Ag,N)体系时,Hi易与AgZn-NO受主对形成受主-施主-受主复合结构(AgZn-Hi-NO),此复合体的形成不仅提高了AgZn-NO受主对在ZnO中的固溶度,同时还能使其受主能级变得更浅而有利于p型导电.因此,H辅助Ag-N共掺ZnO可能是一种有效的p型掺杂手段.
- 李万俊方亮秦国平阮海波孔春阳郑继卞萍徐庆吴芳
- 关键词：P型ZNO第一性原理
- 衬底温度对ZnO∶Mn薄膜结构及光电性质的影响
- ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光器件、紫外激光器件、压电器件、太阳能电池、透明导电薄膜等诸多方面都具有广泛的应用...
- 杨天勇孔春阳阮海波秦国平黄桂娟李万俊梁薇薇孟详丹赵永红方亮
- 关键词：半导体薄膜射频磁控溅射法衬底温度光电性能表面形貌
- 文献传递
- 退火温度对N^+注入Zno:Mn薄膜结构及室温铁磁性的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了ZnO:Mn薄膜,结合N^+注入获得Mn-N共掺ZnO薄膜,进而研究了退火温度对其结构及室温铁磁性的影响.结果表明,退火后ZnO:(Mn,N)薄膜中Mn^(2+)和N^(3-)均处于ZnO晶格位,没有杂质相生成.退火温度的升高有助于修复N^+注入引起的晶格损伤,同时也会让N逸出薄膜,导致受主(No)浓度降低.室温铁磁性存在于ZnO:(Mn,N)薄膜中,其强弱受No浓度的影响,铁磁性起源可采用束缚磁极化子模型进行解释.
- 杨天勇孔春阳阮海波秦国平李万俊梁薇薇孟祥丹赵永红方亮崔玉亭
- 关键词：离子注入晶体结构室温铁磁性
- 退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响被引量：9
- 2008年
- 利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。
- 秦国平孔春阳阮海波南貌朱仁江
- 关键词：P型ZNO退火透射谱
