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翁妍

作品数:9 被引量:5H指数:2
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信医药卫生生物学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇医药卫生
  • 1篇生物学

主题

  • 4篇镍离子
  • 4篇重组表达载体
  • 4篇离子
  • 4篇编码基因
  • 2篇藻类
  • 2篇嗜热
  • 2篇转录
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米级
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇晶体管
  • 2篇聚合酶
  • 2篇合酶
  • 2篇反转录
  • 2篇高K材料
  • 2篇高介电常数
  • 2篇DNA聚合酶
  • 2篇DNA聚合酶...
  • 2篇MOS晶体管

机构

  • 9篇上海交通大学

作者

  • 9篇翁妍
  • 5篇刘喜朋
  • 3篇汪辉
  • 1篇任韬
  • 1篇徐洁晶

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇生物工程学报

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2008
  • 2篇2007
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
DNA聚合酶及其编码基因、制备方法和PCR应用
本发明提供了一种DNA聚合酶及其编码基因、制备方法和PCR应用,所述DNA聚合酶来源于嗜热微生物Thermococcus eurythermalis,具有热稳定性高、扩增能力强,DNA扩增产量高,扩增忠实性高等特征,可应...
刘喜朋翁妍
文献传递
一种具有反转录酶活性的DNA聚合酶I大片段及其编码基因、制备方法和应用
本发明提出了一种具有反转录酶活性的DNA聚合酶I大片段及其编码基因、制备方法和应用,所述DNA聚合酶来源于光合藻类,属于I型DNA聚合酶,其具有很高的DNA聚合酶和外切酶活性,同时具有一定的反转录酶活性。本发明具有反转录...
刘喜朋翁妍
文献传递
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下)
2008年
随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失。简述了高k材料的一些电学性能以及频率变化的电荷泵技术在高k栅介质薄层探测到的缺陷深度,总结了高k材料的基本限制及主要问题,并且介绍了未来技术节点的可能解决方案。
翁妍汪辉
关键词:高介电常数
铜互连线内电流拥挤效应的影响被引量:3
2007年
提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响。实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大,而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限。
任韬翁妍徐洁晶汪辉
关键词:铜互连电迁移有限元分析
超嗜热古菌Thermococcus eurythermalis A501编码B家族DNA聚合酶的生化特性及PCR应用被引量:2
2022年
DNA聚合酶广泛应用于PCR技术,在生命科学研究及相关领域发挥重要作用。但目前商业化DNA聚合酶仍不能完全满足科研需要,有必要寻求高性能DNA聚合酶。文中克隆表达了超嗜热古菌(Thermococcus eurythermalis)A501来源的B家族DNA聚合酶基因(NCBI数据库基因登录号为TEU_RS04875)、表征该重组蛋白的生化特性、评价了其PCR应用。将删除intein蛋白序列的DNA聚合酶(Teu-PolB)进行体外重组表达,经亲和层析和离子交换层析纯化获得Teu-PolB蛋白;利用5′端带荧光标记的寡核苷酸作为底物,用尿素变性聚丙烯酰胺凝胶电泳鉴定Teu-PolB的生化特性;以噬菌体λDNA基因组为模板,探究Teu-PolB的PCR应用。结果显示,Teu-PolB具有DNA聚合酶活性和3′→5′核酸外切酶活性,该酶在98℃下的半衰期约为2 h,热稳定性高。使用Teu-PolB进行PCR扩增,最适PCR缓冲液为50 mmol/L Tris-HCl pH 8.0,2.5 mmol/L MgCl_(2),60 mmol/L KCl,10 mmol/L(NH_(4))_(2)SO_(4),0.015%Triton X-100和0.01%BSA,最适延伸温度为68℃。此外,Teu-PolB能在2 kb/min条件下成功扩增4 kb目的片段,扩增产量弱于商品化Taq DNA聚合酶,优于Pfu DNA聚合酶,但扩增速率和保真度优于Taq和Pfu DNA聚合酶,且对盐的耐受性较高。综上所述,本研究鉴定了一种高保真DNA聚合酶Teu-PolB的生化特性,结果表明该酶可应用于PCR扩增,具有热稳定性高、耐盐性能好、扩增速率高、保真度高等特征。
翁妍刘喜朋
关键词:超嗜热古菌DNA聚合酶PCR
基于RF CMOS工艺的平面螺旋差分电感的参数化等效电路模型
CMOS射频集成电路中,平面螺旋差分电感是一种必不可少的无源片上元件。但是在高频阶段,这类电感会受到四种高频效应的影响:趋肤效应和邻近效应,导体间的寄生电容,容性衬底耦合,感性衬底耦合。这些效应降低了差分电感的高频特性,...
翁妍
关键词:射频集成电路等效电路模型
文献传递
一种具有反转录酶活性的DNA聚合酶I大片段及其编码基因、制备方法和应用
本发明提出了一种具有反转录酶活性的DNA聚合酶I大片段及其编码基因、制备方法和应用,所述DNA聚合酶来源于光合藻类,属于I型DNA聚合酶,其具有很高的DNA聚合酶和外切酶活性,同时具有一定的反转录酶活性。本发明具有反转录...
刘喜朋翁妍
一种DNA聚合酶γ及其编码基因、制备方法和应用
本发明提出了一种DNA聚合酶γ及其编码基因、制备方法和应用。所述DNA聚合酶γ来源于噬菌体。本发明DNA聚合酶γ具有DNA聚合酶和外切酶活性,且在钙离子存在下同样具有活性,可以用于延伸DNA,制备DNA,同时钙离子下活性...
刘喜朋翁妍
文献传递
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)
2008年
随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求。高k材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的不错选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理和材料特性导致产生很多不可靠因素。从高k材料的基本物理和材料特性角度,回顾了高k材料代替SiO2用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层时产生的主要不可靠因素及根本原因。
翁妍汪辉
关键词:高介电常数可靠性
共1页<1>
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