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肖恺

作品数：17 被引量：17H指数：1
供职机构：中国科学院化学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院科研项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 11篇晶体管
  • 9篇碳纳米管
  • 9篇纳米
  • 9篇纳米管
  • 9篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇氮化碳
  • 6篇酞菁
  • 4篇氯苯
  • 4篇金属
  • 4篇金属酞菁
  • 4篇晶体
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻技术
  • 4篇二氯苯
  • 3篇迁移
  • 3篇迁移率
  • 2篇带型
  • 2篇电极
  • 2篇电极对

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇肖恺
  • 16篇刘云圻
  • 16篇朱道本
  • 14篇于贵
  • 12篇胡平安
  • 8篇王贤保
  • 7篇付磊
  • 5篇孙艳明
  • 3篇胡文平
  • 2篇马永强
  • 2篇翟锦
  • 2篇江雷

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇2005年纳...

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2006
  • 5篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化碳/碳纳米管纳米二极管的制备方法及应用
本发明涉及具有纳米结的氮化碳/碳纳米管二极管的制备方法及应用，及其构成整流电路和逻辑门电路的制备方法。本发明方法，包括：第一，利用IDS P2X聚焦离子束系统制备氮化碳/碳纳米管二极管；第二，将得到的氮化碳/碳纳米管二极...
刘云圻肖恺胡平安于贵王贤保付磊朱道本
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一种二噻吩基三并噻吩化合物及制备方法和应用
一种二噻吩基三并噻吩化合物，具有高迁移率的、良好共轭性的噻吩分子，其制备方法为：将二溴三并噻吩和2－噻吩硼酸溶于四氢呋喃中，加入四(三苯基膦)钯和Na<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>水溶液，氮气氛围下...
刘云圻孙艳明马永强肖恺于贵朱道本
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一种具有纳米结的氮化碳和碳纳米管场效应晶体管的制备方法
本发明涉及晶体管纳米技术，特别是一种具有纳米结的氮化碳和碳纳米管场效应晶体管的制备方法。该包括下列步骤：第一步，在热氧化的二氧化硅表面用光刻技术制备Ti和Au电极对阵列；第二步，然后把制备的氮化碳和碳纳米管分散在四氯化碳...
刘云圻肖恺胡平安于贵付磊朱道本
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一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，依如下顺序步骤进行：将SiO<Sub>2</Sub>/高掺杂硅基片放入石英管中部，通入氢气或氩气中的一种气体，开始加热，将盛有金属酞菁的石英舟放入路口温度为500－600...
刘云圻肖恺胡平安于贵王贤保朱道本
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具有纳米结的碳纳米管/氮化碳纳米管及制法和应用
一种具有纳米结的碳纳米管/氮化碳纳米管，沿管轴方向的一半由碳元素组成，另一半为氮化碳纳米管；碳纳米管部分为直的空心管状结构，掺杂氮部分具有竹节状结构；其直径为10～100纳米，长度为5～400微米；其电学性能为非线性整流...
刘云圻胡平安肖恺王贤保付磊朱道本
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分子器件的制备和性能研究
硅基微电子器件即将达到物理极限,因此用分子材料作为活性元件的分子电子器件代替硅基电子用于超高密度集成电路是最有前途的.所以研究基于有机半导体材料的分子材料器件和基于纳米碳管的分子尺度器件的性能和应用,具有极其重要的基础和...
肖恺
关键词：分子电子学有机半导体碳纳米管场效应晶体管
具有纳米结的碳纳米管/氮化碳纳米管及制法和应用
一种具有纳米结的碳纳米管/氮化碳纳米管，沿管轴方向的一半由碳元素组成，另一半为氮化碳纳米管；碳纳米管部分为直的空心管状结构，掺杂氮部分具有竹节状结构；其直径为10～100纳米，长度为5～400微米；其电学性能为非线性整流...
刘云圻胡平安肖恺王贤保付磊朱道本
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一种条带型阵列碳纳米管的制备方法
本发明公开了一种条带型三维阵列碳纳米管的制备方法，按以下步骤进行：用由条带组成的图案的掩模，在一洁净的基片上，在真空下蒸镀一层厚度为100-500纳米的金属铝膜，将这种镀有铝膜图案的基片在氨气中用等离子体轰击5-20分钟...
刘云圻王贤保胡平安于贵肖恺朱道本
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光强度调节的场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种具有光强度调节的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。与传统的场效应晶体管不同，电流的形成不是靠电场或磁场，而是靠光场，且电流的大小可由光的强度来调控。所述的场效应晶体管是以高掺杂硅为基材，在热氧化的二...
刘云圻肖恺孙艳明胡平安翟锦于贵胡文平江雷朱道本
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一种具有纳米结的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管的制备方法
本发明涉及晶体管纳米技术，特别是一种具有纳米结的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管的制备方法。该包括下列步骤：第一步，在热氧化的二氧化硅表面用光刻技术制备Ti/Au电极对阵列；第二步，然后把制备的氮化碳/碳纳米管分散在四氯化碳...
刘云圻肖恺胡平安于贵付磊朱道本
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