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范春晖

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇制备化学
  • 4篇湿法腐蚀
  • 4篇自对准
  • 4篇介质膜
  • 4篇晶体管
  • 4篇机械抛光
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电离
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇有源
  • 2篇窄槽
  • 2篇抛光
  • 2篇碰撞电离
  • 2篇线条

机构

  • 9篇北京大学

作者

  • 9篇范春晖
  • 8篇艾玉杰
  • 8篇黄如
  • 8篇浦双双
  • 8篇郝志华
  • 6篇王润声
  • 4篇云全新
  • 4篇安霞
  • 4篇许晓燕
  • 2篇王阳元

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选...
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一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
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文献传递
一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面...
艾玉杰许晓燕黄如安霞郝志华范春晖浦双双王阳元
一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
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文献传递
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选...
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文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
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纳米尺度CMOS新器件关键工艺研究
随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,以期获得更低的成本和更好的性能。但是,当器件尺寸进入了亚100nm尺度后,各种问题和挑战也随之而来,诸如短沟效应、迁移率退化、源漏串联电阻增大、沟道杂质随机...
范春晖
关键词：镍硅化物肖特基势垒CMOS工艺
一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面...
艾玉杰许晓燕黄如安霞郝志华范春晖浦双双王阳元
文献传递
一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
浦双双黄如许晓燕安霞郝志华范春晖王润声艾玉杰
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