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董培明

作品数:10 被引量:6H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市优秀人才培养资助更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇透明导电
  • 3篇透明导电氧化...
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇陶瓷靶材
  • 2篇工作气压
  • 2篇粉末压制
  • 2篇靶材
  • 2篇P-N结
  • 2篇SUB
  • 2篇层状结构
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 1篇带隙
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇导电性能
  • 1篇电性能
  • 1篇电性能研究
  • 1篇异质结
  • 1篇整流特性

机构

  • 10篇北京工业大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 10篇董培明
  • 9篇严辉
  • 9篇张铭
  • 9篇董国波
  • 6篇兰伟
  • 3篇赵学平

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇郑州大学学报...
  • 1篇2007两岸...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
P型透明导电氧化物CuAlO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法
本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法。该方法的步骤为:将化学纯的Cu<Sub>2</Sub>O粉和分析纯的Al(OH)<Sub>3</Sub>粉经500~550℃预烧1~1.5...
张铭董国波兰伟董培明严辉
文献传递
CuAlO2/Si异质结的制备和性质
本文首次利用射频磁控溅射成功制备了CuAlO2/Si异质结,XRD结果表明CuAlO2薄膜具有(001)趋向生长的特点,正的霍尔系数确定薄膜的p型特性.Ⅰ-V测试显示CuAlO2/Si异质结具有良好的整流特性,结的开启电...
董国波张铭董培明赵学平严辉
关键词:异质结整流特性
P型透明导电氧化物CuAlO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法
本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法。该方法的步骤为:将化学纯的Cu<Sub>2</Sub>O粉和分析纯的Al(OH)<Sub>3</Sub>粉经500~550℃预烧1~1.5...
张铭董国波兰伟董培明严辉
文献传递
氧化亚铜薄膜的研究进展
氧化亚铜(CuO)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料,而且它的制备方法很多。结合最近的研究进展综述了 CuO 薄膜的制备方法与基本性质,分析了 CuO 薄膜研究开发现状,展望了 CuO 薄膜在太阳能电池应用方面...
董国波张铭兰伟董培明严辉
关键词:电导率P-N结
文献传递
p型宽带隙半导体CuAl_(1-x)Fe_xO_2的光电性能研究被引量:1
2009年
采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构,随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高。当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20~32meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为p型半导体。
赵学平张铭董国波董培明严辉
关键词:P型带隙铜铁矿
P型透明导电氧化物薄膜CuAlO<,2>和CuLaO<,2>的制备及性能研究
本文立足于p型透明导电薄膜的应用前景,基于价带化学修饰的材料设计理论,以具有铜铁矿结构的p型CuAlO2及CuLaO2作为主要研究对象,采用与微电子技术相容的磁控溅射法成功制备出CuAl1-xZnxO2薄膜,以期在氧分压...
董培明
关键词:导电薄膜导电性能
文献传递
CuLaO_2薄膜的制备和光电性能研究
2008年
采用传统的固相烧结法制备出纯相CuLaO2粉末,以此为靶材,首次采用射频磁控溅射法制备CuLaO2薄膜并进行退火研究,得到了具有少量杂相的CuLaO2薄膜.其透过率在红外光区较高,近70%,可见光范围相对较低.CuLaO2薄膜的电导率约6.7×10-4S/cm.对比分析了CuLaO2粉末及薄膜室温光致发光性能.测试结果表明,粉末和薄膜在450 nm^650 nm范围都有明显的发光带,而薄膜有少量的杂峰,杂峰是由于La2O3、Cu的氧化物及石英衬底的影响.
董国波张铭董培明赵学平严辉
关键词:磁控溅射光致发光
P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展被引量:2
2007年
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域,但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点,成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质,综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。
董培明张铭兰伟董国波严辉
关键词:层状结构
p型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域,但是缺少性能良好的 p 型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS 由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点,成为近年来 p 型半导体的研究热点.介绍了...
董培明张铭兰伟董国波严辉
关键词:层状结构
文献传递
氧化亚铜薄膜的研究进展被引量:2
2007年
氧化亚铜(Cu2O)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料,而且它的制备方法很多。结合最近的研究进展综述了Cu2O薄膜的制备方法与基本性质,分析了Cu2O薄膜研究开发现状,展望了Cu2O薄膜在太阳能电池应用方面的前景。
董国波张铭兰伟董培明严辉
关键词:电导率P-N结
共1页<1>
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