裴素华
- 作品数：51 被引量：62H指数：5
- 供职机构：山东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术轻工技术与工程建筑科学更多>>
- Ga,B元素的分凝特性与负阻效应
- Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对Ga,B元素在SiO-Si界面中的分凝特性进行研究,发现负阻效应的存在及其大小与...
- 修显武裴素华孙海波
- 关键词：负阻效应
- 文献传递
- γ－Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基苯类气体敏感器件及其制造方法
- γ-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基苯类气体敏感器件及其制造方法，属于金属氧化物半导体一类气敏传感器及制作技术领域。γ-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基苯类气体敏感器件，管...
- 裴素华周忠平
- 文献传递
- 叠加式敏感层甲醛气敏器件及其制作方法
- 叠加式敏感层甲醛气敏器件及其制作方法，属于金属氧化物半导体气敏元件技术领域。采用旁热式器件结构，以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷管为载体，外表面采用梳状式Au电极，敏感层为内敏感膜和外敏感膜叠...
- 裴素华黄萍朱俊孔岳彬
- 文献传递
- 一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法
- 高反压低负阻硅晶体管的制造方法，属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO<Sub>2</...
- 裴素华
- 文献传递
- 一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法
- 高反压低负阻硅晶体管的制造方法，属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO<Sub>2</...
- 裴素华
- 文献传递
- 低阻TiO_2基三甲胺气体传感器性能分析被引量：3
- 2005年
- 按旁热式结构采用以TiO2为基质对InSb2O3Nb2O5氧化物不同的重量比去掺杂研制成的三甲胺(TMA)气体传感器,大幅度降低了加热功率和其在空气中的阻值,器件对响应TMA气体具有灵敏度高、响应时间快、恢复时间短、长期稳定等特点,对干扰气体NH3具有良好的选择性。
- 黄萍裴素华孙海波于连英李秀琴
- 关键词：气体传感器敏感元件三甲胺
- 一种新型动物食品鲜度测量传感器件In/TiO_2·Nb_2O_5的研究被引量：7
- 1999年
- 用 Ｎｂ２Ｏ５对ＴｉＯ２半导化和金属 Ｉｎ的增感而研制成的 Ｉｎ／ＴｉＯ２· Ｎｂ２Ｏ５复合氧化物动物食品鲜度测量传感器件，具有灵敏度高，工作温度低和响应动态范围宽等特点，该项研究为非破坏性、快速、准确地检测生物鲜度创造了一条新途径。
- 裴素华薛成山周忠平孟繁英吴家琨
- 关键词：动物食品
- 有机气体敏感元件研究
- 裴素华周忠平于绥贞薛成山
- 该研究对保障劳动者的人身安全和健康，减少集体中毒事件发生，促进生产有重要的经济和社会意义。
- 关键词：
- 关键词：敏感元件有机气体
- P型杂质Ga在SiO_2-Si内界面分凝规律研究
- 2003年
- 采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。
- 裴素华修显武孙海波周忠平张晓华
- 关键词：GA钙掺杂半导体器件
- 开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性被引量：6
- 1997年
- 对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。
- 裴素华薛成山赵善麒
- 关键词：晶闸管快速晶闸管通态特性
