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豆艳坤
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9
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供职机构:
北京理工大学
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相关领域:
化学工程
经济管理
电子电信
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合作作者
金海波
北京理工大学
曹茂盛
北京理工大学
李丹
北京理工大学
陈韬
北京理工大学
陈立亮
北京理工大学
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北京理工大学
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豆艳坤
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金海波
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李丹
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曹茂盛
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李静波
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郭挺
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陈立亮
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陈韬
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1篇
2012
2篇
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一种稀土锆酸钐纳米材料及其水热制备方法
本发明公开了一种稀土锆酸钐纳米材料及其水热制备方法,用共沉淀的前躯体直接水热合成的纳米级稀土锆酸钐粉体,用本发明方法制备出的稀土锆酸钐粉体导热系数更低,隔热效果好,是一种很有潜力的光催化半导体材料。制备本发明稀土锆酸钐材...
王全胜
陈立亮
金海波
豆艳坤
一种稀土锆酸钐纳米材料及其水热制备方法
本发明公开了一种稀土锆酸钐纳米材料及其水热制备方法,用共沉淀的前躯体直接水热合成的纳米级稀土锆酸钐粉体,用本发明方法制备出的稀土锆酸钐粉体导热系数更低,隔热效果好,是一种很有潜力的光催化半导体材料。制备本发明稀土锆酸钐材...
王全胜
陈立亮
金海波
豆艳坤
文献传递
一种铝—氮共掺杂碳化硅吸波材料的制备方法
本发明提供了一种铝-氮共掺杂碳化硅吸波材料的制备方法,包括:选硅粉、炭黑和氯化铵为反应起始原料,硅粉粒度为200~400目,炭黑粒度为20~60nm,氯化铵用量为硅粉与炭黑总重量的0.5%~5%;将上述原料球磨2~4小时...
金海波
李丹
曹茂盛
豆艳坤
郭挺
一种含有V<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法
本发明提供了一种含有V<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法,所述方法包括:制备清洁干燥的硅片;溅射过程以金属钒靶为靶材,以清洁干燥的硅片为衬底,以氩气为溅射气体,以氧气为...
李静波
苏玉玉
金海波
豆艳坤
文献传递
自蔓延高温合成过渡型金属掺杂碳化硅材料的方法
本发明提供了一种自蔓延高温合成过渡型金属掺杂碳化硅材料的方法,包括:以硅粉、炭黑和氯化铵为反应起始原料,硅粉粒度为200~400目,炭黑粒度为20~60nm,氯化铵用量为硅粉和炭黑总质量的0.5%~3%;将反应起始原料球...
金海波
豆艳坤
李丹
曹茂盛
陈韬
文献传递
典型半导体材料电学性能的温度依赖特性研究
随着微电子技术和武器装备水平的高速发展,对温度作用下半导体材料的服役性能提出了更高的要求,为此开展典型半导体材料光电性能的温度依赖特性研究具有重要意义。SiC和VO2半导体材料具有特殊的温度依赖特性,在高温吸波和智能激光...
豆艳坤
关键词:
SIC
VO2
高温介电性能
抗氧化稳定性
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一种铝—氮共掺杂碳化硅吸波材料的制备方法
本发明提供了一种铝-氮共掺杂碳化硅吸波材料的制备方法,包括:选硅粉、炭黑和氯化铵为反应起始原料,硅粉粒度为200~400目,炭黑粒度为20~60nm,氯化铵用量为硅粉与炭黑总重量的0.5%~5%;将上述原料球磨2~4小时...
金海波
李丹
曹茂盛
豆艳坤
郭挺
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一种含有V<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法
本发明提供了一种含有V<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法,所述方法包括:制备清洁干燥的硅片;溅射过程以金属钒靶为靶材,以清洁干燥的硅片为衬底,以氩气为溅射气体,以氧气为...
李静波
苏玉玉
金海波
豆艳坤
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自蔓延高温合成过渡型金属掺杂碳化硅材料的方法
本发明提供了一种自蔓延高温合成过渡型金属掺杂碳化硅材料的方法,包括:以硅粉、炭黑和氯化铵为反应起始原料,硅粉粒度为200~400目,炭黑粒度为20~60nm,氯化铵用量为硅粉和炭黑总质量的0.5%~3%;将反应起始原料球...
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