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贾伟: 作品数：109 被引量：57H指数：3; 供职机构：太原理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金山西省回国留学人员科研经费资助项目更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

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InGaN/GaN微米阵列结构的生长及发光性能研究: 2021年; 采用金属有机化学气相外延技术,在图形化蓝宝石衬底上通过选区外延可控生长了三种不同形貌的InGaN/GaN微米阵列结构,阵列尺寸均为6μm。其中,六方片状阵列结构以(0001)c面为主,高度为0.6μm;六棱台状阵列结构包括一个(0001)c面和六个等效的(10-11)半极性面,高度为1.2μm;六棱锥状阵列结构以(10-11)半极性面为主,高度为5μm。采用微区光致发光光谱仪对InGaN/GaN微米阵列结构进行发光性能表征,结果表明不同形貌的InGaN/GaN微米阵列结构都可实现多波长发射;阴极荧光光谱结果表明六棱台状InGaN/GaN阵列结构不同晶面位置处发射的波长明显不同,这主要是由于表面迁移效应和横向气相扩散导致各个位置的In组分不同。InGaN/GaN微米阵列结构的成功制备对实现多彩发射和新型光电子器件设计具有重要意义。; 张利繁贾伟董海亮李天保贾志刚许并社; 关键词：INGAN/GAN 形貌调控发光性能 MOCVD

一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法: 本发明涉及一种低成本氮化镓基发光二极管的制备方法，以解决目前发光二极管制备中存在的成本较高、衬底难以重复利用的技术问题。一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法，利用表面石墨烯化的薄片状TiC材料作为衬底材料，生长发光二极管...; 李天保贾伟许并社梁建余春艳章海霞

一种利用SiO2作为衬底制备非极性a面GaN外延层的方法: 本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）工艺在SiO2衬底制备非极性a面GaN外延层的方法。先将SiO2衬底在1200‑1300℃...; 李天保张哲于斌贾伟余春燕董海亮贾志刚许并社

脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构: 本实用新型脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构，属于半导体材料技术领域；提供了一种光谱发散角小、电光转换效率效率高的脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构及其制备方法；该结构包括偏角衬底以及在偏角衬底上依次设置的缓冲层、N...; 董海亮许并社贾志刚贾伟张爱琴梁建

一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法: 本发明涉及一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法，以固定In组分的InGaN作为阱层，采用不同的AlGaN-GaN作为垒层，包括Al组分固定的AlGaN垒层、Al组分沿生长方向连续减少的AlGaN垒...; 贾伟李天保翟光美党随虎许并社

纳米氧化锌实心球的制备方法: 本发明涉及了一种氧化锌纳米实心球的制备方法，其包括如下步骤：（1）将可溶性锌盐溶解在醇胺和水的混合溶液中，混合均匀；（2）将上述溶液在频率大于或等于10KHz、功率为10~50W的超声中进行超声处理；（3）对经超声处理...; 张竹霞刘海瑞邵桂雪贾伟贾虎生许并社

具有Al组分的双波导半导体激光器结构及其制备方法: 本发明涉及半导体光电子学技术领域；Al组分正向渐变的单波导结构波导层的载流子损耗较大，反向渐变结构远场发散角小，内损耗严重，载流子的损耗和泄漏导致980 nm半导体激光器的阈值电流增大，工作电压增加，本发明提供一种具有A...; 董海亮胡雪莹许并社梁建贾志刚贾伟

一种二维异质结太阳能电池及其制备方法: 本发明属于新能源技术领域，涉及太阳能电池及其制备方法，具体为一种二维异质结太阳能电池及其制备方法。通过常压化学气相沉积法制备石墨烯、二维过渡金属硫化物薄膜，再将两种材料复合，通过金属电极引出，形成二维异质结太阳能电池。本...; 章海霞高向华张华许并社余春燕贾伟马琼

基于过滤机制的Web服务远程可信认证: 计算机网络的飞速发展给人们的生活带来了极大的便利，电子商务的发展更是改变了人们传统的生活方式。在网络给人们引来巨大便利和商机的同时，网络安全问题也越来越成为威胁计算机发展的主要因素。可信计算正是在这个大背景下发展起来的，...; 贾伟; 关键词：WEB服务网络安全

氨气与温度对HCVD法合成GaN纳米材料的影响: 2020年; 实验以三氯化镓(GaCl3)为Ⅲ族源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了GaN纳米材料的自催化生长,探讨了氨气(NH3)流量,反应温度和梯度变温生长工艺对GaCl3合成GaN纳米材料的影响。利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)对样品进行表征,结果表明,GaN纳米结构以团簇模式进行生长,符合气-液-固(V-L-S)生长机制。在不同的生长条件下,GaN的表面形貌,晶体质量和发光性能存在明显的差异,当NH3流量为60 sccm,反应温度为900℃时,GaN表现为规则的六边形结构,晶体质量好,PL图谱中未出现明显的红光峰(680 nm左右),采用梯度变温(800~900℃)生长工艺后,得到GaN纳米材料的复合结构,其比表面积和近带边发光峰强度均得到提高。; 于斌张哲薛晋波章海霞余春燕贾伟郭俊杰李天保许并社; 关键词：自催化