贾然
- 作品数：15 被引量：20H指数：3
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程文化科学更多>>
- 简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究被引量：3
- 2012年
- 具有巨介电常数的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=30为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析和介电性能测量,发现在1040℃—1100℃范围内,随着烧结温度的提高,陶瓷的品粒尺寸增大,非线性系数上升,电位梯度和介电损耗下降,1100℃烧结的试样tanδ最低达到0.04.认为CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电损耗包含直流电导分量、低频松弛损耗和高频松弛损耗.低频松弛活化能为0.51 eV.,对应于晶界处的Maxwell-Wagner松弛极化;高频松弛过程活化能为0.10 eV,对应晶粒内部的氧空位缺陷.烧结温度的升高导致晶界电阻下降.
- 贾然顾访吴珍华赵学童李建英
- 关键词：巨介电常数共沉淀法
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷淬火态微结构与介电性能研究被引量：1
- 2017年
- 采用传统的电子陶瓷工艺制备了CaCu_3Ti_4O_(12)(以下简称CCTO)陶瓷,主要研究了1 100℃空气气氛下淬火对CCTO介电性能的影响。SEM和XRD研究表明,淬火并未改变CCTO陶瓷的晶粒尺寸大小,但会增加陶瓷表面CuO的析出。介电谱测试发现,经过淬火的CCTO陶瓷在低频下的介电常数和介电损耗均明显增大,而高频介电常数和介电损耗几乎不变。阻抗谱分析进一步表明,淬火后试样的晶界电阻显著降低,可能是晶界氧化相对不足,晶界界面态密度下降,导致耗尽层厚度减小,于是低频介电常数和介电损耗同时增大;由于氧化主要发生在晶界,晶粒点缺陷浓度几乎不受影响,因此晶粒尺寸和晶粒电阻几乎不随淬火而变化。
- 宋江成鹏飞武康宁贾然
- 关键词：淬火阻抗谱点缺陷
- 直流老化及热处理对ZnO压敏陶瓷缺陷结构的影响被引量：12
- 2013年
- 在电场为3.2kV/cm,电流密度为50mA/cm2条件下对ZnO压敏陶瓷进行了115h的直流老化,研究了直流老化对ZnO压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响.发现直流老化115h后ZnO压敏陶瓷的电位梯度、非线性系数分别从2845V/cm,38.3下降到51.6V/cm,1.1,介电损耗中的缺陷松弛峰被增大的直流电导掩盖,电模量中只观察到一个缺陷松弛峰,低频区交流电导率急剧增大并且相应的电导活化能从0.84eV下降到只有0.083eV.通过对直流老化后的ZnO压敏陶瓷在800℃进行12h的热处理,发现其电气性能和介电性能都得到了良好的恢复并有一定的增强,电位梯度、非线性系数恢复到3085V/cm,50.8,电导活化能上升到0.88eV.另外,其本征氧空位缺陷松弛峰也得到了一定的抑制.因此,认为热处理过程中氧在晶界处的扩散作用对ZnO压敏陶瓷的直流老化恢复起到了关键作用.
- 赵学童李建英贾然李盛涛
- 关键词：ZNO压敏陶瓷介电性能
- 一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
- 本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法，发明方法包括：首先根据化学表达式Y<Sub>2x/3</Sub>Ca<Sub>1-x</Sub>Cu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub...
- 李建英贾然武康宁侯林林高璐李盛涛
- CaCu3Ti4O12陶瓷的结构和缺陷不均匀性对介电性能的影响
- 采用传统固相法烧结制备了CaCu3Ti4O12陶瓷样品,采用双面打磨的方式减薄样品,观察了J-E特性和介电性能随试样厚度的变化.结果表明CaCu3Ti4O12陶瓷样品的击穿场强随着厚度减小而降低,但是没有像ZnO陶瓷一样...
- 贾然李建英白璞唐娴赵学童侯林林
- 关键词：介电性能金属氧化物
- 粉体合成方法对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响被引量：3
- 2016年
- 为了深入研究粉体合成方法对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷介电松弛机理以及缺陷结构的影响,对比了固相反应法和溶胶凝胶法合成CCTO陶瓷的介电性能,并且在此基础上引入了CCTO陶瓷的缺陷结构分析。采用固相反应法和溶胶凝胶法合成了CCTO粉体,在1 080℃下烧结4h制备了CCTO陶瓷样品。溶胶凝胶法合成陶瓷的平均晶粒尺寸是固相法合成陶瓷试样的5倍。J-E特性和介电性能分析表明,溶胶凝胶法合成陶瓷的击穿场强(170V/cm)远小于固相法合成陶瓷(4 980V/cm),且前者的介电损耗和介电常数均达到后者的20倍左右。结合介电损耗因子的曲线拟合结果和阻抗谱分析得到,溶胶凝胶法合成陶瓷的晶界电阻为0.272 MΩ,是固相法(1.03MΩ)的1/3,松弛峰强度是固相法的15倍;两种陶瓷样品的本征松弛峰活化能和晶粒活化能均接近,说明粉体合成方法能够影响CCTO陶瓷的晶界电阻和松弛峰强度,进而影响其宏观电性能,但是对陶瓷的本征松弛机理没有影响。
- 高璐李建英贾然侯林林武康宁李盛涛
- 关键词：介电性能
- 一种高电位梯度钛酸铜钙复相陶瓷的制备方法
- 本发明提供一种高电位梯度钛酸铜钙复相陶瓷的制备方法。首先用液相沉淀法制备氢氧化铝与钛酸铜钙均匀混合的粉体，以硝酸铝溶液为滴定剂，氨水溶液为沉淀剂将反应的pH值控制在8到9之间，用电磁搅拌机搅拌钛酸铜钙悬浮液使氢氧化铝均匀...
- 李建英唐娴贾然李盛涛
- 文献传递
- 高真空热处理对CaCu3Ti4O12陶瓷相稳定性和介电性能的影响
- 贾然李建英侯林林高璐武康宁
- CaCu3Ti4O12/Y2/3Cu3Ti4O12复相陶瓷介电性能和非欧姆特性研究
- 成功制备了高非线性、低介电损耗的CaCu3Ti4O12/Y2/3Cu3Ti4O12复相陶瓷.其中1100℃烧结的YCCTO-0.8试样,非线性系数和电位梯度分别可达到9.88和11.24kV/cm,104-105Hz范围...
- 武康宁李建英贾然侯林林高璐
- 关键词：复相陶瓷介电性能
- 一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
- 本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法，本发明方法包括：首先根据化学表达式Y<Sub>2x/3</Sub>Ca<Sub>1‑x</Sub>Cu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Su...
- 李建英贾然武康宁侯林林高璐李盛涛
- 文献传递
