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赵元富: 作品数：135 被引量：118H指数：6; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术核科学技术更多>>

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不同工艺生成的Si—SiO_2经电离辐照的电子自旋共振研究: 1994年; 采用电子自族共振（ＥＳＲ）分析技术，较系统地研究了Ｓｉ－ＳｉＯ２体系中点缺陷Ｐｂ和Ｅ＇随氧化工艺、６０Ｃｏγ射线辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。实验结果表明：两类Ｓｉ／ＳｉＯ２样品在γ辐照前后均能观察到Ｐｂ缺陷，且γ辐照在Ｓｉ－ＳｉＯ２中产生更多的Ｐｂ缺陷；第一类样品在正电场下辐照将产生Ｅ＇缺陷，在自由场下辐照剂量达５×１０４Ｇｙ（Ｓｉ）时才能观察到Ｅ＇缺陷；在辐照后的第二类样品中无Ｅ＇信号出现；此外，Ｐｂ和Ｅ＇的ＥＳＲ谱形半宽（ΔＨ）表明Ｐｂ为慢弛豫缺陷，Ｅ＇则为快弛豫缺陷。最后，对实验结果的机制进行了探讨。; 刘昶时赵元富; 关键词：电离辐射电子自旋共振

一种阱隔离型抗SEU多节点翻转存储单元版图结构: 一种阱隔离型抗SEU多节点翻转存储单元版图结构，包括阱隔离区域(201)、(202)、(203)，DICE单元区域(101)、(103)、(105)、(107)，DICE单元(102)、(104)、(106)、(108)...; 赵元富刘皓陆时进刘琳岳素格李鹏张晓晨李阳

一种事务级的系统芯片数据传输延迟判定系统: 本发明公开了一种事务级的系统芯片数据传输延迟判定系统，该系统通过配置其中的激励源、功能单元、结果观测单元和时延记录单元，模拟系统芯片中各模块的行为，实现对数据流在系统芯片内部传输时延的评估。使用该系统进行数据传输时延判定...; 赵元富周海洋于立新彭和平; 文献传递

一种多核处理器中处理单元接口电路: 一种多核处理器中处理单元接口电路，内部由慢速访问模式单元、流水访问模式单元、DMA访问模式单元、功能控制寄存器和多个逻辑判断电路组成，通过对功能控制寄存器的设置，将处理单元对总线的访问分为三种访问模式，分别为慢速访问模式...; 赵元富宋立国亓洪亮于立新彭和平; 文献传递

A 16 bit Stereo Audio ΣΔ A/D Converter被引量：3: 2006年; A 16 bit stereo audio novel stability fifth-order ∑△ A/D converter that consists of switched capacitor ∑△ modulators, a decimation filter, and a bandgap circuit is proposed. A method for the stabilization of a high order single stage ∑△ modulator is also proposed. A new multistage comb filter is used for the front end decimation filter. The ∑△ A/D converter achieves a peak SNR of 96dB and a dynamic range of 96dB. The ADC was implemented in 0. 5μm 5V CMOS technology. The chip die area occupies only 4. 1mm × 2.4mm and dissipates 90mW.; 陈雷赵元富高德远文武王宗民朱小飞; 关键词：STABILITY

0.18μm工艺下单粒子加固锁存器的设计与仿真被引量：10: 2007年; 在近年国际上出现的两种记忆单元DICE(Dual Interlocked storagecell)和GDICE(DICE with guardgates)基础上,设计了两种抗单粒子加固锁存器,称为DICE锁存器和GDICE锁存器,加工工艺为0.18μm。对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量,降低了功耗,增强了抗单粒子瞬态(single event transient,SET)能力。分别对比了两种锁存器的优缺点。建立了一种单粒子瞬态仿真模型,将该模型连接到锁存器的敏感点,仿真测试了这两种锁存器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,得到一些对版图设计有意义的建议。通过比较得知:如果没有特殊版图设计,在单个敏感点被打翻时,DICE锁存器和GDICE锁存器的抗单粒子翻转能力比较强;而在两个敏感点同时被打翻时,抗单粒子翻转能力将比较弱。但如果考虑了特殊版图设计,那么这两种锁存器抗单粒子翻转的优秀能力就能体现出来。; 李玉红赵元富岳素格梁国朕林任; 关键词：单粒子锁存器低功耗敏感点

一种MEMS热式流量传感器及其制造方法: 本发明公开了一种MEMS热式流量传感器及其制造方法，其中MEMS热式流量传感器包括衬底、第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线、钝化保护层和电极焊盘部。MEMS热式流量传感器的制造方法...; 赵元富李光北张富强杨静孟美玉孙俊敏; 文献传递

V_T 辐照模式 pMOS 剂量计的标定被引量：4: 1997年; 对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵敏度为２０ｍＶ／Ｇｙ（Ｓｉ）。同时发现，对６０Ｃｏγ射线的响应灵敏度为对６ＭｅＶ电子束的１．３倍左右。对实验结果进行了分析，认为ｐＭＯＳ剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性，提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。; 范隆严荣良靳涛何承发赵元富; 关键词：PMOS 剂量计电离辐照

一种多MEMS传感器的单芯片加工方法: 一种多MEMS传感器的单芯片加工方法，首先在第一衬底的背面加工第二处理电路模块与第二传感结构模块所需的腔体、键合区，在正面制作第一传感结构模块、金属焊盘和通孔；然后在第二衬底圆片的正面制作第二处理电路模块、第二传感结构模...; 赵元富杨静张富强孟美玉李光北孙俊敏钟立志; 文献传递

一种基于锁相环的双模自切换抗辐射加固时钟生成电路: 本发明提出了一种基于锁相环的双模自切换抗辐射加固时钟生成电路，主要由两个独立的锁相环、延时单元、误差检测单元和时钟选择单元构成。所述的两个独立的锁相环为未经过抗辐射加固的电荷泵锁相环，分别提供相应的时钟输出；所述的延时单...; 赵元富岳素格王亮韩兵孙永姝周孟龙李东强; 文献传递