赵珂杰
- 作品数：12 被引量：36H指数：3
- 供职机构：中国科学院北京分院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 光子晶体的研究与应用被引量：3
- 2009年
- 光子晶体是一种具有光子能带及能隙的新型材料。其特有的性质，使光子晶体具有广阔的应用前景。本文基于固体物理学的基本原理，对光子晶体的理论基础进行了简单介绍，根据其特有结构，对光子晶体的特性做了一定分析，并结合现实需要，综述了光子晶体在光学等方面的应用。
- 赵珂杰崔冬萌
- 关键词：光子晶体
- Ru_(0.9375)Mn_(0.0625)Si_3的电子结构及光学性质研究
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究。计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大。Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为p型,静态介电函数1(0)非常大,同时折射率n0的值变化较大,达到了17.722。
- 崔冬萌贾锐谢泉赵珂杰
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- Rh掺杂的Ru_2Si_3的电子结构及光学性质被引量：2
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。
- 崔冬萌贾锐谢泉赵珂杰
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜工艺
- 本发明公开了一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜工艺。其过程为:将清洗好的Si片置于蒸镀室内，对蒸镀室抽真空并保持。先将电子束聚焦光斑调宽，预蒸发1～2min，再正式开始蒸镀。蒸镀时...
- 谢泉肖清泉赵珂杰张晋敏陈茜余志强
- 文献传递
- 环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的磁控溅射制备工艺
- 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的磁控溅射制备工艺，它包括：首先清洗Si基片；其次采用高真空磁控溅射系统在Si单晶上沉积200-500nm纯金属Mg膜，形成Si/Mg薄膜结构；最后放...
- 谢泉肖清泉张晋敏陈茜余志强赵珂杰
- 文献传递
- Mg_2Si半导体薄膜的磁控溅射制备被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nmMg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h。采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征。结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜。Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强。Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小。
- 肖清泉谢泉余志强赵珂杰
- 关键词：磁控溅射退火
- 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析被引量：4
- 2009年
- 基于Bohr-Sommerfeld量子理论,研究了特征X射线的产生机理,导出了一个按原子序数来计算特征X射线波长的公式.同时对计算推导的波长值做了系统的误差分析,得到了相对误差的规律.结果表明,计算推导的波长值与实验得到的波长值非常接近,并且在实际应用中该公式也更为简便.
- 余志强谢泉肖清泉赵珂杰
- 关键词：波长误差分析
- 环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展
- 2010年
- 介绍了近年来Mg2Si薄膜的研究进展。从Mg2Si材料的晶体结构出发,重点对Mg2Si薄膜的基本性质、制备方法和应用前景进行了论述。研究表明,Mg2Si是一种窄带隙间接半导体材料,在光电和热电领域都具有较好的应用价值,因其兼具了组成元素地层含量丰富、无毒、无污染等优点,被视为是一种新型的环境友好半导体材料。在Mg2Si薄膜的外延生长技术方面,目前比较成熟的方法有分子束外延、脉冲激光沉积、反应扩散等多种,但普遍存在制备条件较苛刻,成膜质量不高等缺点。最后,对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要讨论。
- 赵珂杰谢泉肖清泉余志强
- 关键词：MG2SI半导体薄膜
- Ru_2Si_3在应力作用下的第一性原理研究被引量：6
- 2011年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。
- 崔冬萌贾锐谢泉赵珂杰
- 关键词：第一性原理应力电子结构
- Mg2Si晶体结构及消光特性的研究被引量：22
- 2009年
- 基于高能X射线的散射理论,研究了Mg2Si晶体的结构和消光特性.结果表明,Mg2Si晶体具有反萤石结构,当衍射指数H,K和L奇偶混合时其散射光就会出现系统消光,而当衍射指数H,K和L全为偶数或者全为奇数时,其散射光就会出现衍射.在实际应用中对研究具有反萤石结构的晶体具有重要意义.
- 余志强谢泉肖清泉赵珂杰
- 关键词：散射理论衍射
