郭亚娜 作品数:5 被引量:4 H指数:1 供职机构: 中国电子科技集团第十三研究所 更多>> 发文基金: 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究 2005年 介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中,并取得了较好的器件及电路结果。 赵永林 蔡道明 周州 郭亚娜 刘跳关键词:选择比 光电子集成电路 AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性 介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测... 赵永林 李献杰 蔡道民 周洲 郭亚娜 韩丽丽关键词:ALGAAS GAAS 量子阱红外探测器 暗电流 噪声 文献传递 AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性 介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基于湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测... 赵永林 李献杰 蔡道民 周洲 郭亚娜 韩丽丽关键词:ALGAAS/GAAS 量子阱红外探测器 暗电流 文献传递 AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性 被引量:4 2006年 介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析。在温度小于40 K 时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40 K 时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下 QWIP 暗电流具有不对称特性。 赵永林 李献杰 蔡道民 周洲 郭亚娜 韩丽丽关键词:ALGAAS/GAAS 量子阱红外探测器 暗电流 基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC 2007年 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 李献杰 赵永林 蔡道民 曾庆明 蒲运章 郭亚娜 王志功 王蓉 齐鸣 陈晓杰 徐安怀关键词:INGAAS HBT OEIC