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闫果果

作品数：80 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 70篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 41篇碳化硅
  • 22篇半导体
  • 13篇衬底
  • 10篇外延层
  • 9篇栅氧化
  • 7篇导体
  • 7篇氧化层
  • 7篇元胞
  • 7篇栅氧化层
  • 7篇碳化硅衬底
  • 7篇禁带
  • 7篇宽禁带
  • 7篇硅衬底
  • 6篇金属
  • 6篇功率半导体
  • 6篇硅薄膜
  • 6篇硅源
  • 6篇半导体器件
  • 5篇导通
  • 5篇真空系统

机构

  • 80篇中国科学院
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 80篇闫果果
  • 78篇刘兴昉
  • 75篇孙国胜
  • 72篇王雷
  • 71篇曾一平
  • 71篇赵万顺
  • 50篇张峰
  • 22篇刘斌
  • 21篇董林
  • 20篇郑柳
  • 18篇刘胜北
  • 8篇田丽欣
  • 7篇李晋闽
  • 6篇吴海雷
  • 6篇陈俊
  • 3篇杨挺
  • 2篇赵永梅
  • 1篇樊中朝
  • 1篇罗木昌
  • 1篇宁瑾

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 1篇军民两用技术...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇科技纵览
  • 1篇智能电网
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇军工配套材料...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 9篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 7篇2014
  • 9篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
共 80 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高碳化硅少子寿命的方法
一种提高碳化硅少子寿命的方法，该方法包括将碳化硅外延层在氧气中升温氧化；保持温度不变，将得到的碳化硅通入NO气体进行氮氧氧化；将得到的碳化硅在缓冲液中浸泡去除氧化过程中在碳化硅外延层表面形成的氧化层；将得到的碳化硅在惰性...
闫果果刘兴昉申占伟赵万顺王雷孙国胜曾一平
文献传递
连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定...
刘兴昉郑柳董林闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平李晋闽
文献传递
电化学刻蚀装置及其刻蚀方法
本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中，该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片，以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域；在电化学刻蚀过程中，夹具结构设置在容...
赵思齐刘兴昉闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平
一种多片碳化硅半导体材料制造装置
本发明公开了一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热...
闫果果孙国胜刘兴昉张峰王雷赵万顺曾一平
文献传递
变温平台及DLTS测试系统
本发明提供了一种变温平台及DLTS测试系统，变温平台包括：水冷腔室、加热机构和至少两个探针臂；水冷腔室上设置至少一个放气口、至少一个抽气口、至少两个进水口以及至少两个出水口；加热机构包括加热板、热电阻和第一固定结构，第一...
赵万顺闫果果刘兴昉张峰
文献传递
集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置
本发明公开了一种原子层沉积装置。该原子层沉积装置包括：薄膜生长室，在其相对的两侧面分别设置第一红外观察窗口和第二红外观察窗口；傅里叶红外光源，位于薄膜生长室的一侧，用于发射红外光束，红外光束通过第一红外观察窗口透射至位于...
张峰孙国胜王雷赵万顺刘兴昉闫果果曾一平
文献传递
一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种具有p型埋层和沟槽底部n型掺杂的SiC基UMOSFET的制备方法，其特征在于，在n‑漂移层(3)上外延生长形成p型埋层(4)，在p型埋层(4)上外延生长形成n‑漂移层(30)，在n‑漂移层(30)上外延生...
申占伟张峰赵万顺王雷闫果果温正欣刘兴昉孙国胜曾一平
MOS器件的制备方法及MOS器件
本公开提供一种MOS器件的制备方法和MOS器件，该MOS器件包括宽禁带半导体基片和SOI基片，所述宽禁带半导体基片为碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石中的任意一种，该方法包括：在宽禁带半导体基片的上表面注入硼或氮原子，形成表...
申占伟刘兴昉赵万顺王雷闫果果孙国胜曾一平
文献传递
格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法
本公开提供了一种格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法，包括：利用第一格栅贴紧碳化硅衬底的外延晶面，在未被第一格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第一掺杂类型的第一外延结构；去除第一格栅，利用第二格栅遮蔽碳化硅衬底的外延晶面，在未...
刘兴昉闫果果申占伟温正欣陈俊赵万顺王雷张峰孙国胜曾一平
一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件及制备方法
本发明提供一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件，包括：功率器件元胞单元(100)，栅氧化层(230)、栅电极接触(210)形成于元胞单元(100)上部，复合内绝缘层(220)形成于栅氧化层(230)和栅电极接触(210)...
申占伟刘兴昉闫果果赵万顺王雷孙国胜曾一平
文献传递
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