陈凌翔
- 作品数：23 被引量：18H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省科技厅资助项目高等学校科技创新工程重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件
- 本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属...
- 卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
- 文献传递
- Na掺杂生长p型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜的方法
- 本发明公开的Na掺杂生长p型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌、氧化镁和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na<Sub>2</Su...
- 叶志镇陈凌翔林时胜
- 文献传递
- 功率和退火对磁控溅射生长ZnO∶Ga薄膜的影响被引量：4
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射(XRD)、四探针电导率测试、紫外可见分光光度等表征方法研究了溅射功率对薄膜结晶特性及光电性能的影响。结果表明:当溅射功率180W时制备的GZO薄膜光电性能最优,方块电阻为9.8Ω/sq,电阻率为8.6×10-4Ω·cm,霍尔迁移率为12.5cm2/V·s,载流子浓度为5.8×1020cm-3,可见光透过率超过92%。另外,研究了最优制备条件下的GZO薄膜的高温稳定性,在氩气、氧气和真空气氛下分别对薄膜进行退火处理。结果表明,氩气退火的薄膜电学性能显著提高,是显著改善GZO薄膜性能的有效方法之一;氧气退火不利于薄膜的导电性;真空退火介于两者之间。
- 李霞陈凌翔吕建国叶志镇
- 关键词：磁控溅射电学性能功率退火
- 一种ZnO基多量子阱发光二极管
- 本发明公开的ZnO基多量子阱发光二极管，在衬底自下而上依次有ZnO缓冲层、n型ZnO膜层、n型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O限域层、由Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</S...
- 叶志镇林时胜赵炳辉何海平陈凌翔顾修全黄靖云
- 文献传递
- 一种欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件
- 本实用新型公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三...
- 叶志镇顾建龙卢洋藩陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
- 文献传递
- 立方相MgZnO纳米线的制备和表征
- 2012年
- 利用热蒸发方法,在硅衬底上制备出立方MgZnO纳米线。以Mg粉为源材料,所制备的为立方相MgO纳米线。以Mg粉和Zn粉混合物为源材料,可以制备出立方相MgZnO纳米线,Zn含量7%,直径200～300nm,具有单晶结构;同时产物中还包括六方相ZnO纳米线,直径30nm左右。MgZnO纳米线中Zn含量远低于源材料中的Zn含量,这可能是ZnO和Zn的蒸汽压远大于MgO和Mg的缘故。
- 陈永王峰李德辉陈凌翔吕建国叶志镇
- 关键词：纳米线热蒸发
- ZnO材料MOCVD生长及发光器件效率提升机理思考
- ZnO光电材料是新型节能光电子工业的基础材料,在未来白光照明产业中有可能发挥重要作用.对于研究ZnO光电材料在节能光电子器件中的应用来说,结构的可控生长是实现实际应用的基础,p型掺杂是推动其应用于光电器件的关键问题.
- 叶志镇卢洋藩陈凌翔
- 一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件
- 本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属...
- 卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
- 文献传递
- Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
- 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na<Sub>2</Sub>O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na<...
- 叶志镇林时胜曾昱嘉赵炳辉陈凌翔顾修全
- 文献传递
- LED照明若干关键技术研发及产业化
- 叶志镇金尚忠江忠永潘建根杜国红林胜陈凌翔潘新花王乐张昊翔黄靖云何海平
- 该项目属于电子与通信科学技术学科。中国雾霾严重，急需节能减排，绿色照明是国家“节能减排”重点工程之一。蓝光GaN-LED的发明为半导体“绿色照明”开启了里程碑，在2014年获得诺贝尔物理奖。LED照明省电，若替代现有照明...
- 关键词：
- 关键词：照明灯具半导体照明工程纳米材料
