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陈春华

作品数：19 被引量：25H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 9篇理学
  • 3篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇离子
  • 9篇质谱
  • 7篇砷化镓
  • 7篇二次离子质谱
  • 6篇陶瓷
  • 5篇SIMS
  • 5篇GAAS
  • 4篇ALN
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化铝
  • 3篇氮化铝陶瓷
  • 3篇SIMS分析
  • 3篇TI
  • 3篇氧
  • 2篇电子封装材料
  • 2篇射线衍射
  • 2篇莫来石
  • 2篇封装
  • 2篇X射线衍射
  • 2篇钛

机构

  • 19篇中国科学院
  • 5篇西安交通大学
  • 2篇清华大学

作者

  • 19篇陈春华
  • 15篇王佑祥
  • 10篇陈新
  • 7篇岳瑞峰
  • 5篇徐传骧
  • 1篇陈维德
  • 1篇查良镇
  • 1篇陈春华
  • 1篇姜志雄
  • 1篇段俐宏
  • 1篇王佐祥
  • 1篇谢小龙

传媒

  • 8篇真空科学与技...
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇西安交通大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇第一届全国二...
  • 1篇’94秋季中...
  • 1篇1998二次...

年份

  • 5篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1996
  • 4篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用
1994年
介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。
陈新陈春华陈春华
关键词：LTE砷化镓
Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析被引量：1
1996年
采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X+和CsX+信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX+可以提供更准确的结果和成分信息。
陈维德陈春华谢小龙段俐宏
关键词：二次离子质谱欧姆接触砷化镓
Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应被引量：2
1998年
用Ｘ射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术，研究了Ｔｉ膜与ＡｌＮ陶瓷衬底的界面固相反应．在高真空中用电子束蒸发的方法在抛光的２００℃ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在真空恒温炉中退火．实验表明，退火中Ｔｉ膜与ＡｌＮ界面发生了扩散与反应．６５０℃，１ｈ退火已观测到明显的界面反应．界面反应产物主要是钛铝化物及ＴｉＮ化合物．铝化物是ＴｉＡｌ二元化合物和ＴｉＡｌＮ三元化合物，８５０℃，４ｈ退火后则主要由Ｔｉ２ＡｌＮ组成．
王佑祥岳瑞峰陈春华
关键词：钛AIN陶瓷电子封装
ＡｌＮ陶瓷衬底的ＳＩＭＳ和ＸＲＤ测量
陈新陈春华
关键词：氮化铝陶瓷离子谱质谱X射线衍射
二次离子质谱仪离子枪溅射速率的能量依赖关系被引量：1
1995年
本文绘出了MIQ－56型SIMS仪器中离子枪溅射速率和一次束能量及扫描档次的数学表达式，并且通过实验测量加以证实；同时还得到了一次束直径和束流强度的线性关系，为SIMS实验参数选择提供了有力依据。
陈新陈新陈春华
关键词：二次离子质谱
Ti与莫来石陶瓷衬底的界面反应被引量：2
1997年
在抛光的２００℃莫来石陶瓷衬底上电子束蒸发淀积２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火，利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）研究了从２００—６５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应．结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ｔｉ与衬底表面的氧形成Ｔｉ—Ｏ键，并有微量元素态Ａｌ，Ｓｉ原子析出，界面区很窄；４５０℃，１ｈ退火后，界面区有所展宽，但变化不大；６５０℃，１ｈ退火后，界面发生强烈反应，样品主要由ＴｉＯ＋Ｔｉ，Ｔｉ３Ａｌ。
岳瑞峰王佑祥陈春华陈春华
关键词：莫来石电子封装材料AIN陶瓷衬底
氧在GaAs/GaInP/AlGaInP中的SIMS分析
陈春华王佑祥
关键词：砷化镓
Ti 和 AlN 陶瓷的界面反应
1997年
采用电子束蒸发的方法在抛光的２００℃ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积厚度为２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火．利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）、卢瑟福背散射谱（ＲＢＳ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）技术，研究了从２００～８５０℃温区内Ｔｉ与ＡｌＮ的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系．在界面区发现了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程．指出铝化物由Ｔｉ－Ａｌ二元和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元化合物组成．
岳瑞峰王佑祥陈春华徐传骧
关键词：固相反应钛氮化铝陶瓷
原子团离子在Al_(x)Ga(1-x)As基体组分SIMS定量分析中的应用被引量：1
1996年
通过检测原子团离于MCs+和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响，并对正、负SIMS测量方法做出比较。
姜志雄查良镇王佑祥陈春华陈新
关键词：二次离子质谱
Mo/α-Al_2O_3界面的二次离子质谱研究被引量：2
1997年
采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。结果表明，在Mo／Al2O3界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有MoO2生成。延长退火时间，过渡层变化不大。
岳瑞峰王佑祥陈春华徐传骧
关键词：质谱SIMS钼
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