陈贻斌
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：江西理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学机械工程化学工程更多>>
- 溅射时间对CaWO_4:Eu薄膜微结构及发光性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca0.64WO_4:Eu0.24薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱研究了薄膜的结构、表面形貌及发光性能。XRD分析表明,在800℃退火处理的薄膜具有四方相结构;当溅射时间大于100 min时,薄膜高度地沿(004)晶面择优生长。SEM分析表明,薄膜的表面由许多光滑的多边形组成;由于过度长大,晶界处存在一些100 nm左右的针孔。荧光分析表明,在223 nm紫外光激发下,Ca0.64WO_4:Eu0.24薄膜在616 nm处发射出强烈的红光,并且,在592,655和703 nm处也观测到了明显的发光峰;研究还表明,发光强度与薄膜沿(004)晶面的择优生长因子之间存在正相关关系,当溅射时间在120 min以上或者薄膜的择优生长因子大于100时,薄膜都能发射出明亮的红光。为了获得最强的发光,镀膜时间宜控制在140 min左右。
- 陈连平陈贻斌曹俊
- 关键词：铕溅射发光
- 射频磁控溅射法制备CaWO4:Eu3+薄膜及其发光研究
- 在现代照明领域中,白光LED逐步取代传统的照明方式,广泛应用于日常生活中。研究表明,CaWO4:Eu3+荧光粉不仅能被254 nm的紫外光激发,而且还能被393 nm的近紫外光和465 nm的蓝光有效激发,其相应的激发波...
- 陈贻斌
- 关键词：射频磁控溅射法发光强度
- 文献传递
- Ca_(0.64)WO_4:Eu_(0.24)陶瓷的高温相变机理及其对发光性能的影响被引量：1
- 2014年
- 纯的CaWO4具有优异的耐压、耐热稳定性,化学组成为Ca0.64WO4:Eu0.24的陶瓷也具有CaWO4结构,但Ca2+晶格位置含有12 mol%的肖特基缺陷.这种缺陷浓度高的CaWO4相是否具有良好的高温稳定性还有待研究.本文探讨了过度烧结对Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷相结构的影响,揭示了在高温下产生相变的可能原因,并研究了该相变对材料发光性能的影响.研究表明,当烧结温度超过1100?C时,被肖特基缺陷束缚的部分氧离子会解离,造成Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷体相中氧元素含量严重不足,诱发CaWO4相发生相变,析出单斜晶系的Eu2WO6;研究还发现,CaWO4相的晶面间距在高温相变后会增大;这可能是导致Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷发光强度显著降低的一个重要原因.
- 陈连平陈贻斌曹俊
- 关键词：相变铕发光
- 制备工艺对掺铕的钨酸钙薄膜发光性能的影响被引量：2
- 2014年
- 采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜，利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜的红光（615 nm）发光强度的影响。荧光分析表明，溅射法沉积的Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜需在700~800℃热处理后才能强烈地表现出Eu3＋离子的特征发光行为；正交试验说明，溅射气压、时间和功率对薄膜的发光强度都有重要影响，溅射气压的影响尤为重要。研究还表明，为提高发光强度，溅射气压宜控制在1.0 Pa左右，溅射时间在160 min。
- 陈贻斌曹俊陈连平
- 关键词：铕溅射发光性能
- Ca_(1-1.5x)WO_4:Eu_x发光薄膜的射频溅射制备技术研究被引量：1
- 2015年
- 以Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷为靶材,采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜,利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜的红光(616 nm)发光强度的影响;并利用荧光光谱仪和X射线光电子能谱(XPS)仪研究了薄膜的发光性能和成分。极差分析说明,溅射气压、时间和功率都会影响薄膜的发光强度,溅射时间的影响尤为重要。为提高发光强度,溅射气压宜控制在0.2 Pa左右,溅射时间在140 min。成分分析表明,薄膜中钙元素含量显著低于靶材中的含量,但铕元素含量显著偏高。研究还表明,靶材中Ca、W、O和Eu元素的溅射产额比为1∶1.79∶1.84∶2.28。XPS分析和光致发光谱都说明,薄膜中的Eu元素同时存在+3和+2价。
- 陈连平陈贻斌曹俊
- 关键词：铕溅射发光
