您的位置: 专家智库 > >

黄晓江

作品数:7 被引量:13H指数:3
供职机构:苏州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学医药卫生电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 2篇光谱
  • 1篇氮分子
  • 1篇等离子体
  • 1篇电特性
  • 1篇电子温度
  • 1篇射频
  • 1篇拓扑
  • 1篇离子密度
  • 1篇紧束缚
  • 1篇紧束缚近似
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇课件
  • 1篇朗谬尔探针
  • 1篇激发频率
  • 1篇键长
  • 1篇键角
  • 1篇光谱研究
  • 1篇硅表面
  • 1篇发射光谱

机构

  • 7篇苏州大学

作者

  • 7篇黄晓江
  • 3篇宁兆元
  • 3篇辛煜
  • 2篇袁强华
  • 2篇孙恺
  • 1篇顾燕红
  • 1篇高璇
  • 1篇朱晓焱
  • 1篇黄燕

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇物理与工程
  • 1篇苏州大学学报...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
用RasMol软件制作晶体结构的课件被引量:4
2006年
用Ras Mol软件做固体物理学里的晶体结构模型,使教学变得生动形象,丰富多彩.
顾燕红黄晓江
关键词:晶体结构课件
13.56MHz低频功率对60MHz射频容性耦合等离子体的电特性的影响
2008年
使用补偿朗缪尔探针诊断技术,研究了60 MHz/13.56 MHz双频激发容性耦合等离子体的空间电子行为,得到了电子能量概率函数(EEPF)随径向位置和低频输入功率的演变行为.实验结果表明,13.56 MHz射频输入功率的变化主要影响低能电子的布居,其影响随气压升高而加大.在等离子体放电中心以外,EEPF呈现出双峰分布的特性,同时发现从放电中心到极板边缘,次能峰有逐渐向高能区漂移的现象,次能峰的出现显示了中能电子的增强的加热效应.通过EEPF方法,计算了等离子体的电子温度、电子密度.讨论了等离子体中的电子加热机理.
袁强华辛煜黄晓江孙恺宁兆元
60MHz电容耦合等离子体中电子能量分布函数特性研究被引量:4
2008年
甚高频(频率大于30 MHz)耦合放电源由于能产生大面积高密度的等离子体而受到了人们的广泛关注.采用电流、电压探针以及朗缪尔探针诊断技术对60 MHz射频激发产生的容性耦合等离子体的放电特性及电子行为进行了研究.实验结果表明,等离子体的等效电阻/电容随着射频输入功率的增加而减小/增加;等离子体中电子行为不仅依赖于射频输入功率,还与放电气压密切相关;放电气压的增加导致电子能量概率分布函数(EEPF)从双温Maxwellian分布向Druyvesteyn分布转变,而且转变气压远低于文献所报道的数值,这主要是由于在60 MHz容性耦合等离子体中电子反弹共振加热效率大为降低.
孙恺辛煜黄晓江袁强华宁兆元
不同激发频率下小型感应耦合等离子体特性研究被引量:1
2009年
等离子体小型化后往往会产生一些独特的等离子体性质。本文采用朗谬尔探针和高分辨率发射光谱技术对不同激发频率下产生的小型感应耦合等离子体进行了测量,选用的三种频率为13.56MHz,27.12MHz和40.68MHz。朗谬尔探针的实验结果表明,随着射频输入功率的增加以及激发频率的上升均会导致等离子体功率吸收的增强,从而导致了离子密度增大和电子温度下降。利用了气体追踪法测量感应放电中的气体温度,可以发现,由于电子诱导加热的作用,气体温度随气压和输入功率的增加而增加,射频频率的提高也有助于等离子体气体温度的上升。
高璇辛煜黄晓江宁兆元
关键词:朗谬尔探针发射光谱离子密度电子温度
用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响
本文采用经验紧束缚近似方法研究了SiH2在Si(100)-c(4×2)表面单空位处的吸附结构、0.5ML覆盖率氢化的硅表面结构以及附加硅原子在H-terminatedSi(100)表面的沉积吸附行为。本文首先计算分析了S...
黄晓江
文献传递
双频容性耦合等离子体特性的发射光谱研究
双频容性耦合等离子体(dual frequency capacitively coupled plasma DF-CCP)是近年来发展起来的一种新型的等离子体源。由于其采用了一个高频电源和一个低频电源共同驱动等离子体,可...
黄晓江
关键词:氮分子
0.5ML氢化Si(100)表面结构的理论研究
2004年
采用经验紧束缚近似(empiricaltight binding)方法模拟了Si(100)表面0.5ML(monolayer)氢化结构.通过对各种可能的0.5ML氢化Si(100)表面模型的能量的计算,得到了能量结构最为稳定的表面拓扑构造,并确定了其键长、键角、不对称性等参数,还证实了实验上在Si(100)-p(2×2)基底上亦可形成c(4×4)-H稳定结构的结论.
黄晓江朱晓焱黄燕
关键词:紧束缚近似键角键长拓扑ML
共1页<1>
聚类工具0