您的位置： 专家智库 > >

丛培杰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学物理学院物理系更多>>
相关领域：理学自然科学总论电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氧注入
  • 2篇离子注入
  • 2篇SOI
  • 1篇氧离子
  • 1篇温度
  • 1篇离子
  • 1篇沟道
  • 1篇背散射
  • 1篇SOI材料

机构

  • 3篇山东大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇纽约州立大学
  • 1篇济南半导体元...

作者

  • 3篇丛培杰
  • 2篇董顺乐
  • 1篇王广厚
  • 1篇刘家瑞

传媒

  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇第五次核物理...

年份

  • 1篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1982
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
4He沟道分析弯曲晶体中辐射缺陷的分离现象
用低能4He 离子沟道和背散射方法分析400Gev 的高能粒子辐照弯曲和不弯曲硅单晶所引起的缺陷的浓度和类型,发现在弯曲晶体中,朝着束流一面(凸面)的缺陷是另一面(凹面)的许多倍,这种变形晶体的应力场使晶体中剩余缺陷的宏...
王广厚丛培杰吉卜逊孙至锐金一哲赛尔姆皮施尔迪贝克尔卡雷根
文献传递
注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响
1990年
选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。
董顺乐丛培杰
关键词：SOI离子注入温度背散射氧离子
氧注入制成SOI材料的研究
1989年
采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.
董顺乐丛培杰刘家瑞马瑞芬
关键词：离子注入SOI沟道
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0