于妍
- 作品数：6 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究被引量：2
- 2013年
- 直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。
- 吕菲耿博耘于妍杨洪星刘锋
- 关键词：腐蚀速率
- VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法被引量：1
- 2008年
- 介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法。通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度。经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高。
- 吕菲赵权于妍秦学敏宋晶
- 关键词：翘曲度化学腐蚀光泽度
- 腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响
- 2012年
- 对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响。研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀速率变化不明显,而当腐蚀液温度发生变化时则腐蚀速率、晶片表面腐蚀形貌(显微镜下的表面状况)和化学腐蚀后晶片的表面粗糙度均有较大变化,当腐蚀液温度控制在一定范围时,晶片表面光洁,显微镜下观察到的腐蚀图形均匀一致。研究结果对确定InP晶体加工过程中的化学腐蚀工艺有一定的指导意义。
- 刘春香杨洪星于妍赵权
- 关键词：磷化铟腐蚀速率形貌粗糙度
- 锗单晶片的碱性腐蚀特性分析被引量：7
- 2007年
- 讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性。研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律。通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系,可知腐蚀片表面光洁度和腐蚀速率有关而与去除量无关。腐蚀片的表面粗糙度和去除量有关,去除量越大,粗糙度越大。表面粗糙度也与腐蚀液的碱性强弱有关,当去除量相同时,在强碱性腐蚀液中的锗腐蚀片的表面粗糙度更小。在实际应用中,应针对不同目的,选择适宜的化学腐蚀工艺。
- 吕菲刘春香杨洪星赵权于妍赵秀玲
- 关键词：化学腐蚀光洁度粗糙度
- 硅单晶片的激光标识技术研究被引量：2
- 2011年
- 介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064 nm的光纤型激光打标机在硅单晶片上制作标识码。通过研究激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的50%～90%,同时,通过对激光标识码的位置进行了分析,确定了合适的激光打标位置,最终成功地在硅单晶片表面制作了激光标识码,解决了硅单晶片的可追溯性问题。
- 于妍张殿朝杨洪星
- 关键词：硅单晶激光加工
- SiC化学机械抛光技术的研究进展被引量：4
- 2008年
- 介绍了半导体材料SiC抛光技术的发展及直接影响器件成品率的衬底材料几何参数和表面质量因素。讨论了SiC化学机械抛光方法(CMP),包括磨削、粗抛和精抛三个过程,其中粗抛又分重压和轻压两个过程,通过这种方法能够制造出平整度好,表面低损伤的SiC晶片的抛光片,切割线痕通过磨削和抛光可以有效地去除,最终达到表面粗糙度小于1 nm。分析了CMP的原理和相关工艺参数对抛光的影响,指出了其发展前景。
- 李响杨洪星于妍许德洪
- 关键词：抛光液化学机械抛光平行度
