于民
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微米纳米加工技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 双面硅多条探测器的测试被引量：4
- 2011年
- 介绍了由中国科学院近代物理研究所和北京大学微电子研究院联合研制的双面硅多条探测器的初步测试过程及测试结果。测试内容包括:探测器的电特性、能量分辨率、二维能谱、条间串扰(crosstalk)。在-25 V全耗尽偏压下,各条的反向漏电流均小于10 nA,对于5.486 MeV的α粒子,正面各条的能力分辨率在1.5%左右,条间串扰在6%左右;背面各条能量分辨率稍差,在3%左右,其条间串扰在1%左右。同时对进口的Micron BB1直流耦合单边读出的双面硅条探测器做了相同测试,并进行了性能对比。
- 李占奎巩伟谭继廉魏计房王柱生韩励想田大宇于民王金延张录
- 关键词：电性能能量分辨率
- 硅条形探测器条间距优化的模拟研究
- 2014年
- 由于硅条形粒子探测器目前广泛应用于高能物理、物品检测和核医学成像等方面,其形状参数对工作特性的影响也愈发引人关注。采用半导体器件的仿真软件Sentaurus TCAD模拟研究了给定探测条宽度的硅条形探测器相邻探测条的间距变量对探测器工作性能的影响,其模拟结果表明较小的间距可以减小体内电场强度和体内漏电流,有助于提高探测器的电学性能。
- 刘宏智杨兵于民王少南胡安琪石宝华杨昉东
- 关键词：电场强度漏电流仿真
- SiGe衬底离子注入模拟研究
- 2008年
- 运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的Si1-xGex衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于Si1-xGex衬底离子注入的影响。
- 李强乔颖杨杰于民王金延黄如张兴
- 关键词：锗硅离子注入分子动力学
- 硅DRIE刻蚀工艺模拟研究被引量：4
- 2011年
- 随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技术(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)愈发显现出其重要的研究价值。硅通孔技术将集成电路垂直堆叠,在更小的面积上大幅地提升芯片性能并增加芯片功能。为帮助工艺人员更好地开展硅通孔技术工艺实验,开展了硅通孔技术关键工艺深反应离子刻蚀工艺模拟研究工作及开展这一工作所采用的物理模型和模拟方法,并将模拟结果与实验结果进行了对比。
- 朱福运于民金玉丰张海霞
- 关键词：深反应离子刻蚀
- 一个描述硅原子团簇退火行为的模型
- 2004年
- 在考虑硅原子团簇的尺寸对其俘获半径的影响的基础上提出了一个改进的模型 ,来描述团簇的退火行为 ,并给出了点缺陷的表面复合速率的表达式 .为了验证此模型 ,给出了动力学蒙特卡洛方法的模拟结果 ,模拟结果与实验结果相吻合 .通过表面复合速率的模拟结果和模型的对比 ,模型得到了验证 .
- 于民黄如张兴王阳元Kunihiro SuzukiHideki Oka
- 关键词：退火硅
- 中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法被引量：2
- 2004年
- 在 CMOS工艺超浅结形成过程中 ,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成 .文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析 ,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面 .同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟 ,模拟结果很好地符合了实验数据 .
- 施小康于民石浩黄如张兴
- 关键词：离子注入分子动力学
- 一种用于剂量效应模拟的新型分子动力学统计噪声改进算法(英文)
- 2004年
- 提出了一种用于分子动力学 (MD)模拟晶体靶材料中离子注入的加速算法。READE(包含剂量效应的稀有事件算法 )方法可以很好的加速含剂量效应的离子注入的分子动力学模拟。在保证高精度和剂量效应的同时 ,模拟的时间大幅度减小。同时 ,在模拟中许多导致统计噪声的细节在READE中被考虑进来 。
- 施小康石浩于民黄如张兴
- 关键词：离子注入分子动力学模拟
- 采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究被引量：1
- 2014年
- 研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行。键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低。
- 朱智源于民胡安琪王少南缪旻陈兢金玉丰
- 关键词：低压剪切强度
