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代盼: 作品数：38 被引量：10H指数：1; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>; 相关领域：电子电信电气工程理学文化科学更多>>

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不同背场的GaAs基单结太阳能电池伏安特性及分析被引量：8: 2017年; 介绍了GaAs基太阳能电池的原理、等效电路及性能参数,基于集成电路工艺与器件计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真工具,设计了背场分别为InAlGaP和InAlP的两种GaAs基太阳能电池,并对其结构和性能进行仿真。同时,通过分子束外延(MBE)设备制备了这两种太阳能电池,并测试了其伏安(IV)特性。在考虑并联电阻和串联电阻对太阳能电池伏安特性的实际影响后,仿真结果与实验结果基本一致。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlGaP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线是典型的太阳能电池的伏安特性。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线呈现"S"形变化。分析结果表明,背场与基层形成漂移场,加速了光生少子在电池中的输运,提高了光生电流,同时,背场将光生少子反射回有源区,降低了背表面的复合概率。当InAlP作为背场时,由于异质结的存在,影响了载流子的运输,在较小的偏压下,载流子主要通过隧道效应越过势垒,在较大的偏压下,载流子主要通过热电子发射越过势垒,因此伏安特性曲线呈现"S"形变化。; 谢波实代盼罗向东陆书龙; 关键词：光学器件太阳能电池砷化镓背场

背反射式太阳能电池及其制作方法: 本发明提供一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。本发明还提供一种背反射式太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层及电...; 季莲杨辉陆书龙董建荣何巍代盼; 文献传递

GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法: 本申请公开了一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述...; 代盼陆书龙何巍季莲杨辉; 文献传递

分子束外延生长InGaAsP太阳电池载流子动力学研究: 本文分别采用InP和InAlAs作为背场生长InGaAsP太阳电池.InP作为背场的InGaAsP电池开路电压0.545V,短路电流44.51 mA/cm2,转换效率达到18.8％,性能优于InAlAs作为背场的电池.比...; 季莲吴渊渊代盼谭明边历峰陆书龙杨辉; 关键词：分子束外延太阳电池 INGAASP

用于锌扩散的装置及其锌扩散方法: 本发明公开了一种用于锌扩散的装置及其锌扩散方法。所述方法包括：将外延片和锌扩散源放置于反应腔内，锌扩散源距离外延片的边缘预定距离；通入载气，并将反应腔的工作压强调节至预定压强；将反应腔的温度加热到第一设定温度并保持第一设...; 王梦雪谭明杨文献代盼吴渊渊陆书龙; 文献传递

三结太阳能电池及其制备方法: 本发明公开了一种三结太阳能电池，包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法，包括：制备Si子电池；在...; 代盼陆书龙吴渊渊谭明季莲杨辉; 文献传递

五结太阳能电池及其制备方法: 本发明公开了一种五结太阳能电池，包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法，...; 代盼陆书龙谭明吴渊渊季莲杨辉; 文献传递

柔性太阳能电池及其制作方法: 本发明提供了柔性太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：在第一刚性衬底上制作倒置的太阳能电池单元；在所述太阳能电池单元的背面上制作叠层设置的背面电极和柔性衬底；将所述柔性衬底贴附于涂覆粘贴剂的第二刚性衬底上并通过烘烤固...; 龙军华陆书龙黄欣萍李雪飞代盼; 文献传递

单行载流子光电探测器及其制备方法: 本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制备方法。单行载流子光电探测器包括相对且平行设置的衬底和接触层、形成在所述衬底和所述接触层之间的至少两个单行载流子光电二极管以及形成在每两个单行载流子光电二极管之间的蚀刻阻挡层；其...; 王梦雪杨文献代盼谭明吴渊渊陆书龙; 文献传递