倪晟
- 作品数：6 被引量：25H指数：3
- 供职机构：华东师范大学理工学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委科技攻关项目上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 掺杂Al对DC反应溅射ZnO薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,光学折射率和带隙的变化不大,薄膜的晶面间距趋于一稳定值0.266 nm。分析表明掺杂的Al均作为施主对载流子浓度作出了贡献,影响薄膜导电性能的主要原因被推断为晶格中的缺陷等因素导致了载流子的局域束缚。
- 赵强孙艳郑丁葳倪晟王基庆袁先漳
- 关键词：ZNO薄膜电阻率反应溅射
- 真空等离子体装备技术及应用
- 本文从真空等离子体装备技术及其应用进行了综述.重点对等离子体沉积(如磁控溅射,过滤阴极电弧沉积,等离子体化学气相沉积),等离子体刻蚀(电容式和电感式)及等离子体表面处理技术进行了叙述,同时介绍了用于制备纳米材料的一些新技...
- 孙卓倪晟Y.Sun
- 关键词：纳米材料磁控溅射等离子体刻蚀
- 文献传递
- 磁控溅射制备TiAlN和ZnO薄膜的研究
- 使用磁控溅射技术制备了TiAlN薄膜和ZnO薄膜。通过改变溅射过程中Al的功率来制备了一系列Al含量不同的氮化钛铝(TiAlN)薄膜。在溅射过程，薄膜沉积速率和Al含量随Al的溅射功率增加而增大，而薄膜的粗糙度减小。Al...
- 倪晟
- 关键词：磁控溅射TIALN薄膜ZNO薄膜
- 文献传递
- 磁控共溅射制备氮化钛铝薄膜及其机械性能的研究被引量：9
- 2005年
- 使用磁控共聚焦溅射技术并改变溅射过程中Al的功率来制备了一系列Al含量不同的氮化钛铝(TiAlN)薄膜。在溅射过程,薄膜沉积速率和Al含量随Al的溅射功率增加而增大,而薄膜的粗糙度减小。Al含量较低时(约21%),TiAlN薄膜的硬度和弹性模量都高于TiN薄膜。而Al含量较高时(>26%),薄膜的硬度和弹性模量也随含量增加减小。
- 倪晟孙卓赵强
- 关键词：TIALN薄膜磁控共溅射机械性能
- 真空等离子体装备技术及应用
- 本文从真空等离子体装备技术及其应用进行了综述。重点对等离子体沉积（如磁拉溅射,过滤阴极电弧沉积,等离子体化学气相沉积）,等离子体刻蚀（电容式和电感式）及等离子体表面处理技术进行了叙速,同时介绍了用于制备纳米材料的一些新技...
- 孙卓倪晟
- 关键词：真空等离子体纳米材料
- 不同氧分压下直流反应溅射ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：13
- 2007年
- 在室温,不同氧分压条件下,采用Zn靶直流反应溅射在石英衬底上制备了具有纤锌矿结构(002)择优取向的ZnO薄膜。薄膜的生长速率随氧分压的增大而减小,在20%-30%之间存在一个拐点,在此点之前,溅射产额减小的速率很快,而在此点之后,溅射产额减小的速率减慢了很多,当氧分压在30%以上时,溅射过程中Zn的氧化在靶表面就已经完成。通过单振子模型分析了薄膜的光学特性,采用X射线衍射的方法对薄膜的晶粒尺寸和应力进行分析。研究结果表明在氧分压20%以上时,薄膜在可见光波段具有较好的光学透明性和很高的电阻率。薄膜的光学折射率、晶面间距和内部应力均随着氧分压的增大而增大。并从薄膜生长机理上给出了理论解释。
- 郑丁葳倪晟赵强王基庆
- 关键词：薄膜光学ZNO薄膜光学特性
