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刘冉

作品数：87 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 83篇专利
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学

主题

  • 15篇纳米
  • 10篇纳米压印
  • 9篇金属
  • 9篇晶体管
  • 9篇光电
  • 9篇场效应
  • 8篇电路
  • 8篇铁电
  • 8篇通信
  • 8篇微电子
  • 8篇解析模型
  • 8篇衬底
  • 7篇电畴
  • 7篇铁电薄膜
  • 7篇纳米压印技术
  • 7篇刻蚀
  • 6篇信号
  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 5篇亚阈值

机构

  • 87篇复旦大学

作者

  • 87篇刘冉
  • 24篇郑立荣
  • 22篇仇志军
  • 15篇胡光喜
  • 14篇田朋飞
  • 12篇陈国平
  • 11篇沈臻魁
  • 9篇陆冰睿
  • 6篇李辉
  • 6篇李文宏
  • 6篇陈宜方
  • 5篇屈新萍
  • 5篇张有为
  • 5篇万景
  • 5篇刘晓艳
  • 4篇宗兆翔
  • 4篇黄高山
  • 4篇梅永丰
  • 4篇张科
  • 4篇刘照乾

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 7篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 7篇2017
  • 5篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
  • 9篇2013
  • 7篇2012
  • 10篇2011
  • 7篇2010
  • 5篇2008
  • 1篇2007
共 87 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高灵敏度的集成CMOS光学生物芯片
本发明属于生物医学检测技术领域，具体为一种高灵敏度集成CMOS光学生物芯片。该芯片含有基于CMOS工艺的光电探测器,光电探测器包括光电转换电路、光电流读出电路和模数转换电路；目标分子固定于光电探测器表面，分子探针结合到目...
陈国平郭红斌秦亚杰洪志良刘冉
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一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法
本发明属于电子技术领域，具体为一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法。它通过产生激光干涉从而在光刻胶上形成微纳结构，进而通过刻蚀的办法，实现光刻胶上的微纳结构转移到衬底材料表面，形成微纳尺度的光栅、点阵、线阵等...
于航陆冰睿刘冉
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一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压...
李佩成梅光辉胡光喜倪亚路刘冉
一种基于蓝牙及可见光的室内移动终端定位方法
本发明属于通信技术领域，具体为一种基于蓝牙及可见光的室内移动终端定位方法。本发明融合蓝牙定位和可见光定位两种模式，在离线阶段分别构建基于蓝牙以及室内可见光信号接收强度的位置指纹库信息，在线阶段根据移动终端实时接收的待测点...
郭炎冰刘冉窦鸿雁
基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法
本发明涉及一种基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法，配制有机分子溶液，在衬底上制备有机分子的成核位置，通过滴涂及衬底加热，快速生长膜薄，或在指定成核位置生长具有高结晶度和均匀性的定向分子器件阵列。与现有技术相...
胡来归蔡依辰金伟刘冉
一种基于铁电材料纳米压印的颗粒自组装方法
本发明属于工程技术领域，具体为一种基于纳米压印铁电材料来组装颗粒的方法。它通过纳米压印铁电材料改变铁电薄膜内部的电畴结构分布，从而在薄膜内部形成内电场。在紫外光照下，不同的内电场方向对电子与空穴的驱动方向不同，从而实现颗...
沈臻魁陈国平刘冉
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一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管
本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。其结构为以氧化铪作为衬底氧化层，在氧化铪上方是作为沟道和源漏的半椭柱型硅，在沟道上覆盖与沟道同长径比的椭环型氧化铪栅氧化层和金属栅。其中，对源...
胡光喜鲍佳睿胡淑彦刘冉郑立荣
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一种基于可见光通信的精确定位系统
本发明属于无线通信技术领域，公开一种基于可见光通信的精确定位系统。基于LED可见光通信技术，本发明通过可见光LED阵列发送时钟信号，结合时分码分正交频分复用TC‑OFDM系统，并结合IEEE1588网络同步技术，可以发送...
田朋飞郑立荣邹卓朱逸飞刘冉
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一种复制纳米压印模板的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU...
万景屈新萍谢申奇陆冰睿疏珍刘冉陈宜方
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一种快速提取无源漏三栅结构场效应管阈值电压的方法
本发明属于半导体技术领域，具体为一种无源漏三栅结构场效应管阈值电压的快速提取方法。本发明通过求解直角坐标系下的三维泊松方程获得这种结构场效应管亚阈值区的沟道电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义，沟道内平均电势等于准费米...
胡光喜冯建华刘冉郑立荣
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