刘志强
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金霍英东青年教师基金霍英东基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 电化学法制备钼酸盐和钨酸盐薄膜的生长特性研究
- 2007年
- 采用恒电流电化学技术直接在金属片M（钼或钨）上制备了具有白钨矿结构的不同体系（钼酸盐、钨酸盐）、不同时间（从薄膜开始生长到生长结束）的AMO4晶态薄膜，利用SEM技术、结合其它相关测试手段，对这些薄膜进行测试，对相应结果进行了对比分析。研究表明：在利用电化学法制备AMO4薄膜的过程中，薄膜的生长具有以下几个特性：（1）在电化学制备技术中，由电流密度分布不均匀使得基片缺陷处的电流密度大于其它位置的电流密度，使得这些位置的成核速率较大，因而晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷处堆砌和生长；（2）在薄膜的制备过程中，金属M发生电化学反应形成MO4^2-，一定量的MO4^2-沉积在基体表面并构成具有白钨矿结构的骨架，与A^2＋结合形成AMO4晶核和晶粒；（3）薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成；（4）随着反应时间的延长，一方面新的晶核不断形成，基体上晶粒的密度不断增加；另一方面晶核和晶粒不断长大；经过这样的过程，最终晶粒布满整个基体形成致密的薄膜。
- 安红娜杨祖念肖定全余萍刘志强黄昕
- 关键词：电化学技术白钨矿结构钼酸盐钨酸盐晶态薄膜
- 电沉积技术制备钼酸钡薄膜及其特性表征
- 2007年
- 采用恒电流电沉积技术，在不同衬底（金属钼片、镀金的硅片、ITO导电玻璃）上，不同溶液酸碱性的条件下制备出了具有白钨矿结构的钼酸钡薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对制备的薄膜进行了分析表征。分析了利用电沉积方法制备的钼酸钡薄膜的成膜机制．实验结果表明：在室温环境下，利用电沉积技术，在不同材质的衬底（金属钼片、镀金的硅片和ITO导电玻璃）上，可以制备出具有白钨矿结构钼酸钡薄膜，不同材质的衬底会影响到薄膜晶粒的形状进而影响薄膜的表面形貌和致密性，用镀金的硅片（Au-Si片）作衬底时，制备的钼酸钡薄膜晶粒更加饱满，晶体生长呈四方锥形，晶界清晰。
- 谢瑞士余萍肖定全回云飞黄昕安红娜刘志强
- 关键词：电沉积技术铝酸钡衬底溶液酸碱性
- 电沉积技术制备钼酸钡薄膜及其特性表征
- 采用恒电流电沉积技术,在不同衬底(金属钼片、镀金的硅片、ITO 导电玻璃)上,不同溶液酸碱性的条件下制备出了具有白钨矿结构的钼酸钡薄膜．利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对制...
- 谢瑞士余萍肖定全田云飞黄昕安红娜刘志强
- 关键词：电沉积技术衬底溶液酸碱性
- 文献传递
- 室温电化学法制备白钨矿SrWO_4晶态膜的生长特性研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段(包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束)的生长特性。研究结果表明,SrWO4晶核和晶粒优先选择在基片的缺陷处堆砌生长,在薄膜生长的初期,一定数量的WO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的骨架,继而Sr2 +对该骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,晶粒密度不断增大,晶核和晶粒也不断长大,并沿着c轴生长的方向开始分叉,晶粒越大分叉越多;最终,当SrWO4薄膜生长过程结束时,团簇生长的花菜状晶粒布满整个基片,形成致密的薄膜。该研究结果对晶态薄膜电化学制备生长机制的认识、以及采用电化学方法制备晶态薄膜的工艺调控都具有重要意义。
- 安红娜杨祖念肖定全余萍刘志强陈连平黄昕王辉
- 关键词：电化学技术负离子配位多面体
- 利用电化学技术制备白钨矿薄膜的生长动力学研究被引量：2
- 2009年
- 采用恒电流电化学技术直接在金属钼(Mo)或钨(W)片上制备了白钨矿钼酸盐、钨酸盐AMO4(A=Ba、Sr、BaxSr1-x、BaxSryCa1-x-y;M=W、Mo)晶态薄膜,制备时间分别为从薄膜开始生长到薄膜生长结束的不同时间间隔。利用场发射扫描电镜(FESEM)和电子能谱仪(EDX)等测试手段,分别对这些薄膜的生长特性进行了测试,并对测试结果进行了对比分析。结果表明,利用电化学技术制备白钨矿薄膜时,金属基片在不断的溶解;由于负离子配位多面体的沉积、构架和阳离子的不断填充,完成晶核的形成和晶粒的长大;随着时间的增加,光滑饱满的晶粒布满整个基片表面从而完成了薄膜的成膜过程;由于阳离子Ba2+、Sr2+、Ca2+填充速率依次降低,使得在沉积二元和三元薄膜时出现富钡现象。
- 安红娜杨祖念肖定全余萍刘志强谢瑞士
- 关键词：电化学技术成膜过程
- 溶液浓度对电化学技术制备SrWO4薄膜的影响
- 本文采用恒电流电化学沉积技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜。利用SEM、XRD等分析测试方法。分析表征了在不同的溶液浓度下、不同生长阶段生长的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜形貌特征及物相...
- 刘志强肖定全余萍安红娜谢瑞士
- 关键词：晶态薄膜电化学沉积
- 文献传递
