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刘竞博
作品数:
20
被引量:6
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
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相关领域:
一般工业技术
电子电信
电气工程
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合作作者
李萍剑
电子科技大学光电信息学院电子薄...
张万里
电子科技大学光电信息学院电子薄...
陈远富
电子科技大学光电信息学院电子薄...
王泽高
电子科技大学光电信息学院电子薄...
郝昕
电子科技大学光电信息学院电子薄...
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刘竞博
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陈远富
18篇
张万里
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2014
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2篇
2012
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SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法
本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管,位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层,所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内,所述石墨舟位于碳毡保温层中部,所述碳毡...
陈远富
郝昕
李萍剑
王泽高
刘竞博
张万里
李言荣
垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法
本发明公开了一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法,包括如下步骤:(1)清洗衬底;(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中;(3)将真空管式炉抽至高真空,通入氩气和氢气;(4)将管式炉依次升温、保温、降...
陈远富
郑斌杰
李萍剑
戚飞
刘竞博
贺加瑞
张万里
文献传递
Si面6H-SiC衬底外延石墨烯的异常硝酸掺杂效应
2013年
比较研究了Si面、C面SiC外延石墨烯以及CVD石墨烯的硝酸掺杂效应。结果表明对C面SiC外延石墨烯和CVD石墨烯,硝酸掺杂显现出p型掺杂特性使其方阻降低,这是由于硝酸与石墨烯氧化还原反应过程中电荷转移所导致;而对于Si面SiC外延石墨烯,硝酸掺杂则显现出n型掺杂特性使其方阻增大,这种异常掺杂效应是由于硝酸与石墨烯发生氧化还原反应释放出的热量使悬挂键吸附的氧脱附,增强了石墨烯与衬底之间的耦合效应,从而使得电子浓度增大,电子的迁移率显著减小。
郝昕
王泽高
刘竞博
田洪军
关键词:
方阻
电荷转移
一种双层石墨烯薄膜的制备方法
一种双层石墨烯薄膜的制备方法,属于薄膜材料技术领域。在经清洗的金属箔片上旋涂助催化剂,然后采用化学气相沉积法,在金属箔片上得到双层石墨烯薄膜;本方法利用引入助催化剂在金属箔片上制备的石墨烯为双层结构,双层石墨烯覆盖率大于...
陈远富
刘竞博
李萍剑
王泽高
张万里
文献传递
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法,属于材料技术领域。本发明在氩气辅助热裂解碳化硅制备外延石墨烯方法的基础上进行改进,在氩气辅助下热裂解碳化硅制备外延石墨烯过程中,通过增加一个若干气孔(5)的石墨罩(4)罩将碳化硅衬底...
陈远富
郝昕
王泽高
李萍剑
刘竞博
张万里
李言荣
文献传递
一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法
一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法,属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底(1)、<Image file="DDA00002800637900011.GIF" he="24" imgContent="u...
陈远富
郝昕
王泽高
李萍剑
刘竞博
张万里
李言荣
文献传递
一种制备硫掺杂石墨烯薄膜的方法
本发明公开了一种制备硫掺杂石墨烯薄膜方法,涉及新型二维纳米材料制备领域。本发明包括以下步骤:将金属衬底和噻蒽分别置于化学气相沉积系统反应腔室相互隔热的加热区;在真空条件下,向反应腔内通入混合气体;将金属衬底高温退火处理后...
陈远富
周金浩
刘竞博
戚飞
郑斌杰
贺加瑞
王新强
李谦
李萍剑
张万里
一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法
一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法,可实现去除衬底耦合效应的目的。包括:(1)对硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯待插层样品进行清洁处理;(2)按照1∶1的体积比配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液,并将待插层样品浸泡于混合...
郝昕
陈远富
王泽高
李萍剑
刘竞博
张万里
李言荣
文献传递
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法
一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法,属于材料技术领域。本发明在氩气辅助热裂解碳化硅制备外延石墨烯方法的基础上进行改进,在氩气辅助下热裂解碳化硅制备外延石墨烯过程中,通过增加一个若干气孔(5)的石墨罩(4)罩将碳化硅衬底...
陈远富
郝昕
王泽高
李萍剑
刘竞博
张万里
李言荣
文献传递
柔性透明摩擦发电机及其制备方法
本发明提供一种柔性透明摩擦发电机,从上至下依次包括:透明衬底、上透明电极、上层透明聚合物绝缘层、塑料间隔环、下层透明聚合物绝缘层、下透明电极;本发明还提供一种所述柔性透明摩擦发电机的制备方法,包括步骤:在透明衬底上生长或...
陈远富
宋欣波
李萍剑
刘竞博
马鹏飞
周金浩
张万里
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