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刘翠霞

作品数:36 被引量:73H指数:5
供职机构:西安工业大学材料与化工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国航空科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程文化科学金属学及工艺更多>>

文献类型

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  • 1篇科技成果

领域

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主题

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  • 8篇复合材
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机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CVD法SiC纤维的强度测试及评价被引量:5
2006年
化学气相沉积(CVD)法制备的SiC纤维是一类重要的增强体,广泛用于金属基复合材料。文中测定了国产CVD法SiC纤维在室温下的抗拉强度,采用扫描电镜观察和分析了纤维的表面和界面形貌及断口特征。研究结果表明,CVD法制备的SiC(w芯)纤维强度分布具有统计性,采用Weibull分布可以较好地进行描述,SiC纤维强度的Weibull模数分别为11.1~13.9和4.0~5.8,平均抗拉强度在2750~3150MPa之间。扫描电镜观察表明,在纤维的W芯和SiC之间存在着界面反应层,CVD法SiC呈粗的柱状晶生长,SiC纤维呈明显的脆性断裂特征,纤维的粗糙表面以及W芯和SiC之间的界面反应可能形成裂纹源。
徐婷杨延清刘翠霞马志军张荣军徐向红
关键词:SIC纤维抗拉强度
高熵合金生成相的机器学习预测
2024年
针对传统高熵合金制备试验成本高、周期长、不可控因素等问题,文中通过机器学习模型进行高熵合金相阶段预测,进行了多分类和多标签分类,利用主流机器学习算法进行建模,并通过特征重要性分析及超参数调优进行比较,探究了不同算法对预测结果的影响。研究结果表明:多分类支持向量机(SVM)达到0.86的准确率,多标签随机森林(RF)达到了0.94的准确率;机器学习可以提供可靠的合成特性特性,在合金合成时,电负性(Δχ)和价电子浓度(VEC)可作为主要考虑因素。高熵合金和机器学习的结合有望为改进合金系统的设计提供参考。
马妞妞刘翠霞坚增运
关键词:高熵合金
Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算被引量:1
2014年
为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明:ZnSe本体为直接带隙半导体.掺杂Cu后,ZnSe晶体表现出明显的金属性.本征吸收区明显向低能端移动,约位于0.9-6.0eV.吸收系数明显降低33%.在低能端产生了新的价电峰,可以吸收较低能量的光子.
刘翠霞坚增运朱满陈连阳
关键词:CU掺杂光电性质第一性原理
Al-0.035Ni合金凝固过程微观组织的相场法数值模拟被引量:1
2020年
采用相场法对Al-0.035Ni合金在凝固过程中的微观组织进行数值模拟。分别模拟时间步长、各向异性系数和过冷度下Al-0.035Ni合金的枝晶生长过程;分析了Al-0.035Ni合金中过冷度对溶质分布的影响。结果表明:随着时间步长的不断增大,晶粒生长由最初的近圆形向枝晶状形貌转变,沿晶轴方向的枝晶生长速率明显快于其他方向。当各向异性系数较小时晶体生长缓慢,晶核在各个方向上的生长速度并没有太大的差异;随着各向异性系数的增大,晶粒在主轴方向上的生长优势越发明显。合金等轴枝晶周围的热扩散层由于受过冷度的影响,其枝晶尖端具有不同的生长速率;当增大过冷度时,枝晶尖端的生长速率随之增大,尖端形核半径呈减小趋势。此外,过冷度对合金枝晶内的溶质偏析影响不容忽视,会在枝晶内形成明显的溶质梯度。
张乐晨刘翠霞坚增运
关键词:相场法枝晶生长
闪锌矿结构ZnSe的光电性质和有效质量研究
2019年
为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附近电子的有效质量。研究结果表明:ZnSe晶体属于直接带隙半导体材料,反射峰的出现主要是因为Se原子的4p电子和Zn原子的3d态电子向导带跃迁,介电峰的分布与电子结构直接相关,介电峰主要是由于Zn的3d和Se的4p轨道价带向Zn的4s和Se的4s轨道导带的过渡。分析了价带顶端的电子有效质量,计算结果与文献资料基本一致,发现载流子的有效质量具有各向异性,k_a方向的电子和空穴的有效质量均较小。从而挖掘了ZnSe晶体的光电性质与有效质量的内在本质,这些分析结果对Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子材料具有非常重要的参考价值。
刘翠霞坚增运王少刚罗贤
关键词:光学性质电学性质
ZnSe晶体的气相法制备和性能研究被引量:3
2011年
采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析。结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,具有较好的结晶性能,晶格常数为5.668nm,Zn与Se的化学成分比为1∶1,没有其它杂质峰;未加碘的产物为多孔状陶瓷,说明加碘可以明显提高ZnSe的结晶性能,解决了一致升华范围较窄的限制条件,避免了ZnSe生长动力学的限制,因此可以获得理想化学计量比的ZnSe晶体。
刘翠霞坚增运朱满
关键词:晶体结构形貌
Mg熔体凝固过程中的分子动力学模拟被引量:1
2018年
为了研究Mg熔体凝固过程中晶体团簇和扩散系数的变化规律,采用分子动力学模拟方法研究了冷却速度对Mg熔体最终构型的影响规律,通过分析Mg熔体的径向分布函数、H-A键对分析和最大晶体团簇中的原子数,确定出Mg熔体凝固后获得理想非晶的冷却速度,最后对不同初始温度和不同保温温度下Mg熔体的扩散系数进行了研究.模拟结果表明当冷速小于等于1.0×10^(11.0) K·s^(-1)时,Mg熔体凝固后形成晶态组织,具有fcc结构;当冷速大于等于1.0×10^(12.5) K·s^(-1)时,Mg熔体凝固后形成非晶态组织;当冷速在1.0×10^(11.0) K·s^(-1)到1.0×1012.5 K·s^(-1)之间时,Mg熔体凝固后形成晶态结构和非晶态结构组成的混合组织,由fcc和hcp结构层状镶嵌排列构成.在同一保温温度下,Mg熔体的扩散系数随着保温时间的延长而减小,随着保温温度的降低,熔体中原子的均方位移逐渐减小;随着初始温度的不断升高,Mg熔体开始降温时的均方位移增加较快,随着降温过程的进行,温度越低均方位移的变化幅度越小,扩散系数也随之减小,当时间足够长时,均方位移不再变化,此时,扩散系数不再随着初始温度的改变而改变.
孙慧坚增运姜冰清刘翠霞
关键词:分子动力学模拟非晶
SiCp/Al基复合材料界面结合的第一性原理分析
2022年
为了探究金属/陶瓷界面原子之间的相互作用,文中采用第一性原理计算方法研究SiCp/Al基复合材料低指数晶面的表面能,分析了Si和C端界面的形成焓、结合强度、断裂韧性、布居数以及界面成键类型,比较了顶位和桥位界面结合情况,分析了界面成键规律。研究结果表明:Al C端顶位结合强度最高,界面形成焓值最小,断裂韧性最大,确定Al C端顶位为最稳定的结合方式;Al C顶位界面的C Si共价键强度最高;Al C端顶位界面的结合键表现出离子键和共价键的特性;并且在接近SiCp的Al基体中出现了强度比较高的金属键;而在Al C端桥位界面、Al Si端顶位界面中界面的结合键表现出共价键的特性;Al Si端桥位界面的结合键更表现出金属键的特性。
杨申欢刘翠霞刘孟宇杨浩邦
关键词:SICP/AL基复合材料第一性原理
扫描电子显微镜下试样的常见假象及改进措施被引量:1
2020年
本文主要介绍扫描电子显微镜下试样表面形貌的常见假象,并简述改进的方法。如何识别和避免假象的干扰,得到更准确的测试结果,是本文讨论的主要内容。
姚丽娟李坤朱满龙伟刘翠霞
关键词:扫描电镜
CVD碳涂层对SiC纤维性能的影响被引量:4
2007年
采用化学气相沉积的方法,在SiC纤维表面沉积了一层C涂层,通过拉伸实验对涂C前后的SiC纤维强度进行比较分析,用扫描电子显微镜对其形貌进行观察。结果表明,表面涂C使SiC纤维表面致密光滑,弥合了纤维表面的孔隙、微裂纹等缺陷。表面涂C后SiC纤维的强度比涂C前提高了1000 MPa左右,且明显减少了纤维强度的分散性,Weibul模数明显提高。本文的C涂层厚度不到1μm,说明仍可进一步优化CVD工艺。
刘海威杨延清张荣军刘翠霞任晓霞徐向红
关键词:SIC纤维碳涂层化学气相沉积
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