史国柱
- 作品数：13 被引量：16H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与...
- 郭霞关宝璐李川川郝聪霞任秀娟李硕郭帅周弘毅史国柱周治平陈树华
- 文献传递
- 表面液晶-垂直腔面发射激光器温度特性的研究被引量：2
- 2013年
- 本文利用向列相液晶层作为激光偏振调控单元,涂覆于垂直腔面发射激光器(VCSEL)表面,测量并分析了不同温度下VCSEL正交线偏振光的阈值电流、峰值光功率和I-P特性.实验结果表明:温度为293 K时,涂覆液晶后激光偏振第一跳变点和第二跳变点之间的电流值I增大了2.2 mA,比无液晶时增大1倍.温度为313 K、注入电流为3 mA时,两种正交线偏振光的光功率差P由133.6μW增大到248.8μW,进一步增加了线偏振光的各向异性.表面液晶层的引入有效地扩大了VCSEL的正交线偏振态稳定范围和光功率差,为实现液晶VCSEL高温单偏振稳定的设计和器件制备提供了理论和实验基础.
- 王强关宝璐刘克史国柱刘欣崔碧峰韩军李建军徐晨
- 关键词：垂直腔面发射激光器向列相液晶偏振态
- 亚波长光栅调制的偏振稳定垂直腔面发射激光器研究被引量：12
- 2012年
- 基于微光学技术设计得到了偏振稳定垂直腔面发射激光器结构,将亚波长光栅结构集成在上分布布拉格反射镜表面,光栅周期小于材料中光波长,透射波和反射波中仅包含零级衍射,避免了高级次衍射造成的损耗.集成光栅后不同偏振方向光阈值增益不同,从而实现偏振控制.实验结果显示,集成亚波长光栅结构后,整个激射过程中偏振方向被固定在平行于光栅槽方向上,获得偏振稳定激光输出,正交偏振抑制比大于12 dB,且阈值电流仅增大7.14%.
- 李硕关宝璐史国柱郭霞
- 微机械可调谐垂直腔面发射激光器特性研究
- 本文建立了可调谐VCSEL系统模型,并采用Lang—Kobayashi和L.A Coldren理论对微机械可调谐垂直腔面发射激光器特性进行研究和分析。给出了在调谐过程中谐振腔内光了寿命、激光器输出功率等重要参数的变化特性...
- 关宝璐郭霞任秀娟李硕史国柱沈光地
- 关键词：VCSEL波长可调谐
- 偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形...
- 关宝璐郭霞史国柱李硕王强周弘毅陈树华苏治平
- 文献传递
- 内腔液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 内腔液晶可调谐垂直腔面发射激光器属于半导体光电子器件领域。该激光器结构分为三部分: 从下到上依次为n型背面电极(11)、底部衬底(10)、下DBR(9)、有源区(8)、包括氧化限制层(7)的p型DBR(12)、p型注入电...
- 关宝璐郭霞王强史国柱刘欣
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
- 文献传递
- 亚波长光栅可调谐垂直腔面发射激光器设计与研究
- 本文提出了一种新型内腔集成亚波长光栅可调谐垂直腔面发射激光器(VCSELs),首次实现了在波长调谐过程单偏振模式稳定输出的可调谐VCSELs新型器件结构设计。利用严格耦合波法对亚波长光栅的周期、占空比、脊深等几何参数进行...
- 关宝璐史国柱王强郭霞沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器波长调谐亚波长光栅性能评价
- 文献传递
- 可调谐垂直腔面发射激光器的研究
- 垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity surface-emitting laser，VCSEL)于1977年由日本东京工业大学的Kenichi Iga教授首次提出，至今只有30多年的历史，是一种新型的半导体...
- 史国柱
- 关键词：垂直腔面发射激光器偏振控制耗散功率亚波长光栅
- 内腔液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 内腔液晶可调谐垂直腔面发射激光器属于半导体光电子器件领域。该激光器结构分为三部分：从下到上依次为n型背面电极(11)、底部衬底(10)、下DBR(9)、有源区(8)、包括氧化限制层(7)的p型DBR(12)、p型注入电极...
- 关宝璐郭霞王强史国柱刘欣
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