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叶毅

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇击穿电压
  • 5篇半导体
  • 4篇金属半导体
  • 4篇金属半导体场...
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体场效应...
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇淀积
  • 2篇有源
  • 2篇频率特性
  • 2篇功率
  • 2篇功率密度
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道电流

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇叶毅
  • 6篇罗小蓉
  • 5篇张波
  • 5篇张金平
  • 5篇李肇基
  • 4篇陈壮梁
  • 4篇邓小川
  • 2篇蒋辉

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇2009四川...

年份

  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
三维槽栅金属半导体场效应晶体管
本发明提出一种三维槽栅金属半导体场效应晶体管结构，即在源漏区之间有源层中开出一个或多个沟槽，栅电极连续地覆盖于沟槽中。沟槽形状可根据实际需要改变，可以是方形、V形、梯形以及阶梯形等结构。与传统MESFET结构相比，三维槽...
张波张金平邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
文献传递
4H-SIC阳极凹槽肖特基二极管耐压与凹槽深度的关系
本文对一种阳极凹槽肖特基二极管进行了研究。器件反偏时，阳极凹槽引入的横向电场可以加快漂移区耗尽，降低阳极电场，从而可以提高器件的击穿电压。通过器件仿真，从耐压的角度，对阳极凹槽深度进行了优化。当阳极凹槽深度为0.7μm时...
蒋辉叶毅罗小蓉
关键词：半导体器件肖特基二极管击穿电压
文献传递
新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究被引量：2
2008年
提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行优化。结果表明,新结构较之常规单RESURF结构,击穿电压从890 V提高到1672 V,导通电流为80 mA/mm时,压降从4.4 V降低到2.8 V。
叶毅张金平罗小蓉张波李肇基蒋辉
关键词：肖特基二极管降低表面电场击穿电压
碳化硅SBD和MESFETs功率器件研究
随着持续增长的大电流容量、高击穿电压及高封装密度要求，硅基器件的发展已经接近其理论限制。碳化硅（SiC）材料其大的带宽、高的临界击穿电场、高的热导率使得宽禁带半导体器件具有优良的高温工作特性和极高的耐压容量、工作频率、电...
叶毅
关键词：碳化硅材料肖特基二极管
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三维槽栅金属半导体场效应晶体管
本发明提出一种三维槽栅金属半导体场效应晶体管结构，即在源漏区之间有源层中开出一个或多个沟槽，栅电极连续地覆盖于沟槽中。沟槽形状可根据实际需要改变，可以是方形、V形、梯形以及阶梯形等结构。与传统MESFET结构相比，三维槽...
张波张金平邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
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源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
本发明提出了一种应用在高频、大功率领域的金属半导体场效应晶体管(MESFET)结构，即源漏双凹结构MESFET。栅漏和栅源之间的有源层通过刻蚀形成了两个相互独立的凹槽，并在两凹槽之间形成一个凸起的平台。栅电极可以全部淀积...
张金平张波邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
文献传递
源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
本发明提出了一种应用在高频、大功率领域的金属半导体场效应晶体管(MESFET)结构，即源漏双凹结构MESFET。栅漏和栅源之间的有源层通过刻蚀形成了两个相互独立的凹槽，并在两凹槽之间形成一个凸起的平台。栅电极可以全部淀积...
张金平张波邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
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