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吴凯

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:安徽大学更多>>
相关领域:理学交通运输工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇源极
  • 2篇运算电路
  • 2篇振荡体系
  • 2篇时域
  • 2篇随机存取
  • 2篇随机存取存储...
  • 2篇隧道结
  • 2篇芯片
  • 2篇漏极
  • 2篇静态随机存取...
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路技术
  • 2篇苯酚
  • 2篇SRAM
  • 2篇MRAM
  • 2篇乘法
  • 2篇磁隧道结
  • 2篇存储器

机构

  • 6篇安徽大学

作者

  • 6篇吴凯
  • 4篇杨震
  • 4篇周永亮
  • 4篇杨盼
  • 2篇李梦硕
  • 2篇胡刚
  • 2篇陈杨洋
  • 1篇曾庆龄
  • 1篇谢中治

传媒

  • 1篇安徽大学学报...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2014
  • 1篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种苯酚的检测方法
本发明系一种新型的检测苯酚的方法,其特征在于:应用一种经典的非线性化学振荡体系(其组成“NaBrO<Sub>3</Sub>-苹果酸-H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>-[CuL](ClO<Sub>4<...
谢中治胡刚吴凯曾庆龄陈杨洋李梦硕
文献传递
时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2,6个NMOS管N1~N6,以及一个电容C0构成;其中,N5、N6和C0构成...
周永亮杨震杨盼吴凯王俊杰何宗良江尚峰韦一鸣林枭
2T-2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路
本申请涉及一种2T‑2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路,其中,该2T‑2MTJ存算单元包括:第一NMOS管和第一磁隧道结,第一磁隧道结的正向端用于连接第一子位线,第一磁隧道结的反向端连接第一NMOS管的漏极,第一NM...
周永亮杨震杨盼吴凯王俊杰何宗良江尚峰张东旭黎轩
时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2,6个NMOS管N1~N6,以及一个电容C0构成;其中,N5、N6和C0构成...
周永亮杨震杨盼吴凯王俊杰何宗良江尚峰韦一鸣林枭
大环铜配合物催化的B-Z振荡化学体系检测苯酚(英文)
2013年
报道一种利用不同浓度的苯酚对大环二价铜配合物催化的B-Z化学振荡体系的扰动来检测苯酚的方法.大环铜配合物[CuL](ClO4)2是一种类似卟啉环的化合物,其中L为5,7,7,12,14,14-六甲基-1,4,8,11-四氮杂十四-4,11-二烯.实验表明苯酚可以造成大环二价铜配合物催化的B-Z振荡体系的振幅急剧增大.苯酚浓度的对数在2.0×10-7~2.5×10-3M的范围内与振幅的增加值呈正比例的关系,其相关系数为0.994 5.讨论了苯酚对体系扰动的可能机制.
李梦硕吴凯胡刚陈杨洋
关键词:大环铜配合物苯酚
2T-2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路
本申请涉及一种2T‑2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路,其中,该2T‑2MTJ存算单元包括:第一NMOS管和第一磁隧道结,第一磁隧道结的正向端用于连接第一子位线,第一磁隧道结的反向端连接第一NMOS管的漏极,第一NM...
周永亮杨震杨盼吴凯王俊杰何宗良江尚峰张东旭黎轩
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