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吴峰

作品数:6 被引量:48H指数:2
供职机构:河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金河北省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇包覆
  • 4篇表面包覆
  • 3篇SIO
  • 2篇氧化硅
  • 2篇水解
  • 2篇气相沉积
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇常压
  • 1篇载流
  • 1篇载流子
  • 1篇致密
  • 1篇致密性
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热条件
  • 1篇体缺陷
  • 1篇铜掺杂
  • 1篇热法
  • 1篇温差
  • 1篇温度

机构

  • 6篇河北大学

作者

  • 6篇吴峰
  • 3篇李志强
  • 2篇王立明
  • 2篇韦志仁
  • 1篇李娟
  • 1篇李晓苇
  • 1篇杨少鹏
  • 1篇董国义
  • 1篇田少华

传媒

  • 3篇河北大学学报...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO<sub>2</sub>的研究
ZnS:Cu是一种常见的粉末交流电致发光材料,由于它特殊的商业价值,现在广泛应用照明与显示。此发光材料在潮湿的环境中使用,基质材料ZnS容易发生水解而析出锌,从而破坏了发光体的结构,致使材料的寿命缩短。为了延长材料的使用...
吴峰
关键词:水解包覆
温度对电致发光粉表面包覆SiO_2膜特性的影响被引量:1
2004年
采用化学气相沉积法,以硅酸乙酯和氧气作为前驱体在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,并对样品进行了能量色散X射线分析,AgNO3抗腐蚀,发光亮度和光谱等测试.结果证实当温度为500℃时,包膜样品具有良好的防潮抗腐蚀性能,材料发光寿命得到明显改善,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.
李娟李志强田少华吴峰
关键词:包覆CVD二氧化硅
pH值对电致发光粉表面包覆SiO_2膜的影响被引量:6
2003年
采用Na_2SiO_3水解法,在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO_2膜层,并主要分析了包SiO_2膜时,pH值对包覆膜致密性的影响。发现电致发光粉在pH=9.5的Na_2SiO_3溶液中预分散条件下,陈化至8.5,易于形成均匀致密的SiO_2膜层。因此,电致发光粉的老化性能得到一定程度的改善,延缓了它的老化。
吴峰李志强王立明
关键词:表面包覆SIO2膜PH值致密性
水热条件下影响晶体生长的因素被引量:39
2002年
着重对水热法生长晶体过程中的影响因素进行了分析 .高压釜内温度分布、溶液 (或溶剂 )填充度、浓度和 pH值、杂质等会对生成晶体的形状、结构、颜色、生长速度、晶体缺陷和晶体质量产生影响 .
王立明韦志仁吴峰
关键词:晶体生长水热法温差过饱和度晶体缺陷
ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2的研究
ZnS:Cu是一种常见的粉末交流电致发光材料,由于它特殊的商业价值,现在广泛应用照明与显示。此发光材料在潮湿的环境中使用,基质材料ZnS容易发生水解而析出锌,从而破坏了发光体的结构,致使材料的寿命缩短。为了延长材料的使用...
吴峰
关键词:水解二氧化硅包覆
文献传递
微波吸收法研究(ZnCd)S∶Cu发光材料光生载流子的衰减过程被引量:1
2002年
采用微波吸收法,测量了(ZnCd)S∶Cu及ZnS∶Mn,Cu粉末材料受到超短脉冲激光激发后,其自由电子和浅束缚电子的衰减过程。发现Cd2+的浓度对导带电子和浅束缚电子的寿命影响较小,而Cu+的浓度对导带电子和浅束缚电子的寿命有明显的影响,提高激活剂掺杂浓度会使自由电子的寿命大大缩短。
李志强吴峰董国义韦志仁杨少鹏李晓苇
关键词:发光材料光生载流子硫化锌铜掺杂ZNS
共1页<1>
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