周坤
- 作品数：13 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InGaN单层的生长与光学性质研究
- 本文从质量输运角度出发研究了MOCVD生长的应变InGaN单层(30nm)的光学质量与其生长速率和温度的关系.在680-740℃温度范围内,随着温度的升高,InGaN的生长从质量输运控制区转向解吸附控制区,如图1插图所示...
- 周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
- 具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
- 本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟镓氮阱层和复数铟镓氮垒层，并且各铟镓氮垒层中...
- 周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
- 文献传递
- 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
- 本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一...
- 张峰池田昌夫周坤刘建平张书明李德尧张立群杨辉
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- 氮化镓基激光器的光学损耗研究
- 光学损耗是表征激光器性能的重要参数，对激光器的阈值电流、斜率效率有直接的影响。测量激光器的光学损耗对于激光器的研究具有巨大的推动作用。
- 程洋刘建平李德尧周坤张峰范晓望池田昌夫张书明张立群杨辉
- 关键词：氮化镓激光器
- 半导体激光二极管及其封装方法
- 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片...
- 周坤李德尧张书明刘建平张立群冯美鑫李增成王怀兵杨辉
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- GaN基蓝光激光器的退化机制研究
- 本文研究了GaN基蓝光激光器的退化失效机制.通过对激光器老化前后光电特性测试分析,发现GaN基蓝光激光器老化过程中光输出功率随时间增加下降、阈值增加,激射前自发辐射复合强度减弱,而反向漏电流和斜率效率基本不变;通过增益损...
- 温鹏雁杨辉李德尧张书明冯美鑫刘建平张立群周坤田爱琴张峰
- 关键词：蓝光激光器氮化镓光电特性
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- 发光二极管及其制作方法
- 本发明提供一种发光二极管，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的顶部形成有外延结构，所述外延结构连接有第一电极和第二电极，所述氮化镓衬底的底部形成有凸出的微结构层。本发明提供的发光二极管及其制作方法，对氮化镓衬底的底部进行腐蚀...
- 胡威威张书明周坤池田昌夫刘建平杨辉
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- 低补偿p型GaN的变温霍尔研究
- 本文利用变温霍尔测试研究了MOCVD生长GaN∶Mg样品的电学特性,并对空穴浓度随温度的变化进行了理论拟合,研究结果表明生长的GaN∶Mg样品的施主受主补偿比很低,接近0％,认为低补偿比是由于样品中的C杂质浓度较低.
- 田爱琴张书明李德尧张立群杨辉刘建平池田昌夫李增成冯美鑫周坤温鹏雁张峰胡威威
- 关键词：电学特性补偿比
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- 半导体激光二极管及其封装方法
- 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片...
- 周坤李德尧张书明刘建平张立群冯美鑫李增成王怀兵杨辉
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- 半导体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种半导体激光器，包括叠层设置的N型氮化镓层、N型铝镓氮层、N型铟镓氮层、多量子阱结构层、P型铟镓氮层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层，其中，多量子阱结构层中的多个铟镓氮垒层具有倾斜量子垒结构，即在多个铟镓氮垒层...
- 周坤刘建平张书明李德尧张立群杨辉
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