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高效多晶硅太阳能电池的表面织构: 实现高效多晶硅电池的物理机理就是减少复合损失、欧姆损失和光学损失。为了减少对于多晶硅电池效率影响巨大的光学损失，我们从硅片制绒这一步入手，用低成本的化学腐蚀法，通过分光光度计、光学显微镜和扫描电子显微镜表征，分析了反应温...; 石建伟徐飞周平华杨洁杨祚宝陈东生; 关键词：硅太阳能电池表面织构电流强度; 文献传递

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，...; 史伟民周平生周平华李杰瞿晓雷廖阳钱隽李季戎张月璐许月阳; 文献传递

提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法: 2013年; 提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法。通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO/硅纳米墙异质结光电器件。研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经超声修饰的样品制备的器件相比,超声修饰能够改善硅纳米墙器件的背面电极欧姆接触,2min的超声修饰可以将器件的串联电阻从5.87Ω下降到0.82Ω,填充因子提高86%,光电转换效率提高76.2%,提高了光电器件的载流子收集效率。; 周平华徐飞杜汇伟杨洁石建伟马忠权; 关键词：欧姆接触

铜铟硒与铜铟硫太阳能电池中有序缺陷化合物的性质及对能带偏移的影响: 2012年; 利用第一性原理模拟计算铜铟硒(CIS)太阳能电池CIS吸收层,及CIS中普遍存在的有序缺陷化合物(ordered defect compound,ODC)CuIn_5Se_8的性质.依据CuIn_5Se_8形成的方式,结合对称性越高、能量越低的原则,建立CuInS_2中的ODC-CuIn_5S_8结构,并从态密度角度讨论CuInS2与CuIn_5S_8的差异.分别选用ZnSe和CuI半导体作为CIS和CuInS_2电池的缓冲层,利用第一性原理计算得到价带偏移(valence band offset,VBO).在ZnSe/CIS界面处,CIS的价带顶(valence band maximum,VBM)比ZnSe高0.52 eV;在CuI/CuInS_2界面处,CuI的价带顶比CuInS_2低0.37 eV,表明CuI非常适合应用于CuInS_2电池缓冲层.ODC中由于Cu的缺失,其d轨道电子和阴离子p轨道电子的p-d排斥力减小,使ODC材料的价带顶相对于自身本征材料有所下降.; 余斌徐飞马忠权周平华石建伟郑玲玲李拥华洪峰; 关键词：第一性原理计算太阳能电池

Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池快速热退火效应: 2012年; 利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)电池的影响,研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In,Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰,即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低,可减少薄膜体内缺陷,提高载流子浓度,改善薄膜质量;退火温度过高,则会引起正常格点处元素扩散,元素化学计量比改变,体内缺陷增加,吸收层带隙降低,反而会对CIGS薄膜造成破坏。; 杨洁陈东生郑玲玲杜汇伟周平华石建伟徐飞马忠权; 关键词：太阳能电池快速热退火光致发光

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周平华