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周立庆

作品数：57 被引量：10H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 18篇碲镉汞
  • 15篇红外
  • 12篇探测器
  • 11篇红外探测
  • 9篇硅基
  • 8篇衬底
  • 7篇液相外延
  • 7篇石墨
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 6篇碲镉汞材料
  • 6篇面阵
  • 6篇母液
  • 6篇红外探测材料
  • 5篇载流子
  • 5篇石英
  • 5篇探测器芯片
  • 5篇碲锌镉
  • 5篇芯片
  • 4篇液相外延生长

机构

  • 57篇中国电子科技...

作者

  • 57篇周立庆
  • 29篇刘铭
  • 17篇王经纬
  • 16篇王丛
  • 15篇巩锋
  • 13篇孙浩
  • 11篇吴卿
  • 11篇折伟林
  • 11篇高达
  • 10篇刘兴新
  • 9篇胡尚正
  • 6篇宁提
  • 5篇田震
  • 5篇谭振
  • 5篇周朋
  • 4篇喻松林
  • 4篇徐强强
  • 4篇朱西安
  • 4篇韦书领
  • 4篇许秀娟

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 9篇2020
  • 7篇2019
  • 6篇2018
  • 7篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种硅片湿化学清洗用夹具
本实用新型公开了一种硅片湿化学清洗用夹具，该硅片湿化学清洗用夹具包括内框结构和外框结构，所述内框结构用于固定硅片，所述外框结构用于固定所述内框结构，内框结构的第一内框把手和第二内框把手的底端圆弧形分别卡在外框结构两个第一...
王丛刘铭王经纬周立庆
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承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法
本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法，其中，该装置包括：方形平台，用于放置碲锌镉样品，方形平台的厚度不小于第一预设值；在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏，围栏用于保护碲锌镉样品...
许秀娟巩锋周立庆折伟林朱西安
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用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法
一种用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料，其在常规衬底材料上，再生长一层与碲镉汞晶格常数完全匹配的碲锌镉单晶薄膜；本发明制备出的用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料具有外延膜晶格质量高，组分可针对短波、中波、长波...
周立庆刘兴新
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硅基复合衬底的加工方法
本发明提出了一种硅基复合衬底的加工方法，包括：获取硅片；在所述硅片上外延生长预设膜厚的第一缓冲层；其中，在所述第一缓冲层外延生长过程中，控制生长环境的温度变化速率小于等于10℃/min。根据本发明的硅基复合衬底的加工方法...
王丛高达王经纬刘铭刘兴新于小兵周立庆
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硅基衬底的加工方法
本发明提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝...
王丛高达王经纬刘铭刘兴新于小兵周立庆
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应用双色红外材料制备探测器芯片的方法及系统
本发明公开了一种应用双色红外材料制备探测器芯片的方法及系统，其制备工艺简单。该方法包括：制备双色红外材料；然后进行台面刻蚀处理和离子注入区刻蚀，在InSb衬底上注入Be离子，形成P-on-N二极管，在HgCdTe材料上注...
周立庆孙浩刘铭巩锋王经纬王丛韦书领
单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置
本发明公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置，该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架，所述安瓿支架内设有通道；所述通道内设置导流管，所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部，所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管相连...
吴卿周立庆刘兴新徐强强
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单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置
本实用新型公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置，该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架，所述安瓿支架内设有通道；所述通道内设置导流管，所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部，所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管...
吴卿周立庆刘兴新徐强强
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硅基缓冲层及其制备方法
本发明公开了一种硅基缓冲层及其制备方法。硅基缓冲层的制备方法，包括：获得原子级别洁净的的Si片；依次打开As束流源、Te束流源，对Si片的正面进行钝化；交替打开Zn束流源和Te束流源，在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓...
王丛刘铭高达周立庆
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芯片电极的制备方法及制备装置
本发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置，制备方法包括：将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成芯片的电极；对形成电极的芯片进行加热，达到第一预设温度后维持预设时间；在真空腔室内，对芯片进行降温，使芯片降温至第二预...
王鑫谭振祁娇娇宁提周立庆
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