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周西松

作品数:8 被引量:11H指数:2
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇热电材料
  • 4篇纳米
  • 2篇单质
  • 2篇电性能
  • 2篇溶剂
  • 2篇溶剂热
  • 2篇热电转换
  • 2篇热电转换效率
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇纳米级
  • 2篇结晶度
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇晶形
  • 2篇光吸收
  • 2篇光吸收特性
  • 2篇BI

机构

  • 7篇清华大学
  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 8篇周西松
  • 6篇南策文
  • 3篇林元华
  • 3篇邓元
  • 3篇韦国丹
  • 3篇刘静
  • 2篇何泓材
  • 2篇王建飞
  • 2篇周剑平
  • 1篇南军
  • 1篇邬俊波
  • 1篇刘宇恒

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2002
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种纳米级金属碲化物的制备方法
一种纳米级金属碲化物的制备方法,该方法以铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐及单质Te为原料,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在碱和还原剂存在的条件下,于100℃-180℃反应合成纳米级热电材料M<Sub>x</Sub>Te<Sub>...
南策文邓元周西松韦国丹刘静
文献传递
脉冲激光沉积法合成Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜及其光吸收特性
控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜材料.结果发现,SiO<,2>基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的Bi<,2>Ti<,...
林元华王建飞何泓材周剑平周西松南策文
关键词:脉冲激光沉积法介电性能光吸收特性
文献传递
制备工艺对La改性的Ca_3Co_4O_9基陶瓷热电性能的影响被引量:6
2004年
利用常压烧结、冷等静压成型后常压烧结及热等静压烧结3种不同制备工艺,合成了(Ca0.9La0.1)3Co4O9热电材料。XRD分析表明:不同工艺制备的样品均为Ca3Co4O9相。样品的SEM照片显示:晶粒为片状结构;热等静压烧结制备的样品,其片状结构不明显,但致密度较之另外两种工艺大幅度提高,其相对密度为95%。制备工艺对(Ca0.9La0.1)3Co4O9热电材料Seebeck系数影响不大,但热压烧结样品能大幅度提高(Ca0.9La0.1)3Co4O9电导率。在一定温度范围内,随温度升高,功率因子大幅度增加,对于热压烧结的样品尤为显著。
林元华周西松南军刘宇恒南策文
关键词:热电性能热压烧结
TiO2基功能薄膜制备及其光电性能研究
周西松
关键词:光伏效应纳米复合材料
脉冲激光沉积法合成Bi2Ti2O7介电薄膜及其光吸收特性被引量:3
2005年
控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200~450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.
林元华王建飞何泓材周剑平周西松南策文
关键词:脉冲激光沉积法介电性能光吸收
不同形貌的SnTe纳米晶的低温合成
利用溶剂热反应,SnCl<,2>与Te在100℃~180℃反应生成不同形貌的纳米SnTe粉末.其中N,N-二甲基甲酰胺为溶剂.产物用X-射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)进行了表征.产物的形貌和大小与反应温度和时...
邓元韦国丹刘静周西松邬俊波南策文
关键词:溶剂热反应纳米棒热电材料
文献传递
SnTe-Bi<,2>Te<,3>系热电材料的合成,结构和性能研究
该论文以三元(SnTe)<,x>(Bi<,2>Te<,3>)<,y>化合物为研究对象,分别对材料合成工艺,显微结构,热电性能进行了研究.熔炼法被用于三元(SnTe)<,x>(Bi<,2>Te<,3>)<,y>热电材料的合...
周西松
关键词:热电材料溶剂热法
文献传递
一种纳米级金属碲化物的制备方法
一种纳米级金属碲化物的制备方法,该方法以铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐及单质Te为原料,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在碱和还原剂存在的条件下,于100℃-180℃反应合成纳米级热电材料M<Sub>x</Sub>Te<Sub>...
南策文邓元周西松韦国丹刘静
文献传递
共1页<1>
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