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Hg_(1-x)Cd_xTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究被引量：5: 2005年; 高分辨率x射线衍射技术被应用于Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数的测量及其晶格应变状态的研究,研究发现Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜内既存在正应变也存在剪切应变.通过应用晶体弹性理论,对Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜的应变状态进行了定量的分析与计算,获得了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜在完全弛豫状态下的晶格参数,从而得到了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分的关系,该关系符合Vegard’s定律,而不是早期研究所给出的Higgins公式.研究还发现,根据对称衍射测量所得到的(224)晶面间距,可直接计算出Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数,并用Vegard’s定律确定组分的方法,可作为估算Hg1-xCdxTe分子束外延材料组分的常规技术,其组分的测量误差在0·01左右.; 王庆学杨建荣孙涛魏彦锋方维政何力; 关键词：HG1-XCDXTE X射线衍射技术分子束外延弛豫

Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的钝化研究被引量：1: 2004年; 用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性.在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS钝化层在高温下并不稳定,而CdTe钝化层却能保持较高的耐温性能.; 孙涛李言谨王庆学陈兴国胡晓宁何力; 关键词：光伏探测器 MCT 晶面点阵 E光

HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究被引量：9: 2005年; 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocal spacemapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1f噪声电流增加的原因.; 孙涛陈兴国胡晓宁李言谨; 关键词：HGCDTE 光伏探测器噪声研究高分辨X射线衍射长波倒易点阵

Hg_(1-x)Cd_xTe长波光伏探测器的低频噪声研究被引量：5: 2005年; 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试.发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大的表面隧道电流,而这正是单层钝化器件具有较高低频噪声的原因.并通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术RSM(reciprocalspacemapping)研究了两种钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高的低频噪声和表面隧道电流的原因.; 孙涛梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨; 关键词：HGCDTE 光伏探测器倒易点阵暗电流

不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制被引量：9: 2005年; 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe +ZnS)钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能 .通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流 .通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响 ,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷。; 孙涛陈文桥梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨; 关键词：HGCDTE 光伏探测器钝化倒易点阵暗电流

Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的表面漏电流机制及其钝化被引量：5: 2004年; 表面漏电流能对Hg1-xCdxTe光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要。本文主要论述了Hg1-xCdxTe光伏探测器表面漏电流机制及其钝化技术的发展状况。; 孙涛; 关键词：光伏探测器钝化工艺热噪声暗电流

碲镉汞红外探测器的PSPICE模型: 在分析了碲镉汞（HgCdTe）红外探测器工作原理的基础上,利用PSPICE的子电路功能建立了HgCdTe红外探测器的等效电路模型。该模型可以模拟HgCdTe红外探测器的I-V特性和R-V性,模拟的结果与实验数据相一致,说...; 陈文桥孙涛梁晋穗胡晓宁李言谨; 关键词：PSPICE 碲镉汞等效电路光电二极管; 文献传递

HgCdTe探测器应力的多重晶X射线衍射分析: 2004年; HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层。; 孙涛王庆学陈文桥梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨何力; 关键词：HGCDTE 光伏探测器应力钝化

HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应: 2005年; 通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响 .发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用 ,HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构。; 孙涛王庆学陈文桥梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨; 关键词：HGCDTE CDTE 钝化二维点阵

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孙涛