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孙维国

作品数：62 被引量：111H指数：6
供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺兵器科学与技术航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 27篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 36篇探测器
  • 22篇红外
  • 16篇红外探测
  • 15篇天线
  • 12篇红外探测器
  • 11篇光电
  • 9篇微带
  • 8篇微带天线
  • 8篇绝缘
  • 8篇绝缘介质
  • 7篇导电薄膜
  • 7篇欧姆接触
  • 7篇肖特基
  • 6篇势垒
  • 6篇毫米波
  • 6篇INAS/G...
  • 6篇波段
  • 6篇超晶格
  • 5篇肖特基接触
  • 5篇毫米波天线

机构

  • 52篇中国航空工业...
  • 6篇北京大学
  • 5篇西北工业大学
  • 5篇中国科学院
  • 4篇洛阳光电技术...
  • 3篇北京航空航天...
  • 2篇河南科技大学
  • 2篇中国空空导弹...
  • 1篇云南师范大学

作者

  • 61篇孙维国
  • 28篇鲁正雄
  • 24篇张亮
  • 14篇陈洪许
  • 13篇司俊杰
  • 12篇赵岚
  • 12篇朱旭波
  • 11篇成彩晶
  • 11篇丁嘉欣
  • 11篇李墨
  • 8篇赵鸿燕
  • 6篇吕衍秋
  • 6篇张国义
  • 6篇张向锋
  • 6篇杨晖
  • 6篇彭震宇
  • 6篇韩德宽
  • 5篇郭杰
  • 5篇王铮
  • 5篇郭云芝

传媒

  • 8篇红外与激光工...
  • 5篇红外技术
  • 3篇红外
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇航空兵器
  • 2篇半导体光电
  • 1篇焊接学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇航空学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2019
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 9篇2009
  • 7篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
共 62 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究被引量：5
2005年
利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简化模型,采用这一模型的结深计算值与实测结果相符。
张国栋孙维国倪永平
关键词：离子注入INSB平面结光电流
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料台面腐蚀被引量：3
2014年
研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.
张利学孙维国吕衍秋张向锋姚官生张小雷司俊杰
关键词：半导体材料湿法腐蚀
大面积PbS光导薄膜制备工艺优化被引量：7
2007年
对化学沉淀法制备的PbS薄膜,通过优化沉淀方法、敏化过程,改善了PbS薄膜成分和形貌的均匀性。由改进后的薄膜所制备的光导PbS探测器,在大尺度(25mm)光敏元尺寸下,光电响应的不均匀度由改进前的±50%减小为±25%。
司俊杰万海林陈湘伟陈凤金黄战利张庆军孙维国
关键词：红外探测器PBS光电响应均匀性
碲铟汞光电探测器
本发明属于光电子技术领域，涉及一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳...
孙维国鲁正雄张亮赵岚成彩晶赵鸿燕
文献传递
一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线
本发明公开了一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线，它是由透红外辐射的窗口基体、化合物半导体薄膜贴片、绝缘介质基片、化合物半导体薄膜接地片及与化合物半导体薄膜贴片良好欧姆接触的馈线组成，所述化合物半导体薄膜贴片间隔设置在...
孙维国陈洪许王铮鲁正雄杨晖张文涛张亮梁晓靖朱旭波
文献传递
一种非制冷型毫米波/红外叠层探测器
本发明涉及一种非制冷型毫米波/红外叠层探测器，包括微带天线、非制冷型探测器元件和读出电路，微带天线通过粘合剂粘贴在非制冷型探测器元件背面，非制冷型探测器元件的正面通过连接柱与读出电路连接；所述微带天线的绝缘介质基片的一面...
郭云芝安宁穆学桢孙维国李墨赵书敏陈洪许
文献传递
一种太阳敏感器光学掩模及其制造方法
本发明涉及航天器姿态测量控制系统中的姿态敏感器，具体涉及一种太阳敏感器光学掩模及其制造方法。该掩模由掩模基片(1)、镀制在掩模基片(1)一个表面上的滤光层膜系(2)和镀制在滤光层膜系(2)上的阻光层膜系(3)三部分构成。...
张广军樊巧云张晓敏孙维国赵岚
文献传递
高工作温度InAlSb红外探测器的研究进展被引量：5
2016年
概括了国外InAlSb红外探测器的研究现状、材料性质以及发展趋势,并介绍了几种不同的器件结构及其性能情况。InAlSb/InSb红外探测器的设计目标主要是通过抑制暗电流来提高探测器的工作温度。近年来,基于传统InSb探测器的成熟工艺与技术,InAlSb探测器的性能得到了不断提升。该研究对红外制导、预警等军事领域具有重要的研究意义和应用价值。
陈刚孙维国吕衍秋
关键词：红外探测器分子束外延
一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化方法
本发明涉及一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化的方法，其过程如下：先清洗GaN基样片并生长好干法刻蚀阻挡层，然后涂光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层至露出需要干法刻蚀的区域，并去除光刻胶；再对样片用干法刻蚀进行刻蚀，要求刻蚀深度...
张向锋吕衍秋成彩晶张亮丁嘉欣鲁正雄孙维国
p-GaN/Au欧姆接触的研究被引量：1
2006年
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm^2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小．在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0．034Ω·cm^2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因．
成彩晶司俊杰鲁正雄赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
关键词：表面处理接触电阻率I-V特性
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