宫箭
- 作品数：17 被引量：19H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子
- 2000年
- 采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .
- 宫箭班士良
- 关键词：异质结硒化锌界面极化子
- 双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿
- 本文详尽研究AlxGa1-xAs材料构成的双势垒抛物量子阱中的电子隧穿问题，详细讨论了外加电磁场和电-声子相互作用对电子隧穿的影响，讨论了隧穿动力学的一些相关问题. 横向磁场对电子隧穿过程的影响较为复杂，主要原因是由于...
- 宫箭
- 关键词：电子隧穿
- 文献传递
- 两学分“统热”课程的探索与实践被引量：1
- 2019年
- 本文介绍近年来内蒙古大学为应用物理、电子科学与技术专业开设2学分"统计热力学"(热力学与统计物理学)课程的教学方案设计及教学实践.该课程在32学时的授课中,可做到基本理论、方法及应用几个方面的统筹兼顾,且保证了热力学与统计物理课程知识体系的系统性和完整性.
- 崔鑫班士良宫箭梁希侠
- 关键词：统计热力学
- 对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性被引量：3
- 2013年
- 电子的隧穿时间是描述量子器件动态工作范围的重要指标.本文考虑k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应对系统哈密顿量的修正,结合转移矩阵方法和龙格-库塔法来解含时薛定谔方程,进而讨论了电子在非磁半导体对称双势垒结构中的透射系数及隧穿寿命等问题.研究结果发现:由于k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应使自旋简并消除,并在时间域内得到了表达,导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂;不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同,这是导致自旋极化的原因之一;电子的自旋极化在时间上趋于稳定.
- 王瑞琴宫箭武建英陈军
- 关键词：自旋极化输运透射系数
- 半导体层状材料中电子态和输运问题的理论研究
- 梁希侠班士良闫祖威宫箭赵国军郭子政
- 半导体层状材料的物性研究是国内外半导体物理领域的热点课题之一。此研究无论对新物理现象的探索还是对新型电子、光电子器件的研制均有十分重要的意义。 该项目主要研究半导体异质结构中的电子态、电子垂直界面的输运及光学声子的影响...
- 关键词：
- 关键词：输运电子态
- 石墨烯周期性结构中电子隧穿的研究
- 2004年,Geim小组用机械剥离法成功制备出石墨烯结构[1,2],这种二维系统以其表现出来的独特物理性质已经被作为下一代新型半导体元件,而其输运性质的研究对新型晶体管、场效应管的研制具有非常重要的意义。
- 赵慧娟宫箭李婷婷肖振宏
- 电子横向运动对共振隧穿的影响被引量：2
- 2001年
- 讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。
- 宫箭班士良
- 关键词：共振隧穿透射系数半导体
- 隧穿场效应晶体管中的带间隧穿机制
- 宫箭姜向伟汪林望
- 半导体多势垒异质结构中的共振隧穿
- 该文针对CdSe/Zn<,1-x>Cd<,x>Se材料构成的方开双势垒、三势垒以及抛物形双势垒结构进行的数值计算表明:电子横向波数的增加使得共振峰向低能区移动,高能态共振峰移动的效果更为显著,而且还使得共振峰加宽,峰谷比...
- 宫箭
- 关键词：共振隧穿隧穿电流
- 文献传递
- Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结系统的施主能级被引量：6
- 2000年
- 对单异质结界面系统 ,引入三角近似异质结势 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量 .对 Zn1-x Cdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能做了数值计算 ,给出结合能随杂质位置、电子面密度和
- 宫箭班士良
- 关键词：异质结结合能硒化锌施主杂质
