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崔祥彦

作品数:5 被引量:22H指数:4
供职机构:北京京东方光电科技有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 2篇灰化
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇光刻胶
  • 1篇电压
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶显示
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇液晶显示器件
  • 1篇有机薄膜晶体...
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列结构
  • 1篇显示画面

机构

  • 5篇北京京东方光...
  • 4篇北京交通大学
  • 1篇京东方科技集...

作者

  • 5篇崔祥彦
  • 4篇刘翔
  • 4篇邓振波
  • 4篇王章涛
  • 2篇邱海军
  • 2篇贾勇
  • 1篇严太镕

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇现代显示
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究被引量:5
2008年
光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的表面发生氧化,从而阻止下层金属的刻蚀。在灰化气体中加入少量SF6,能有效地去除生成的金属氧化物,提高下层金属的刻蚀速率。在优化的灰化工艺条件下,制作的TFT具有良好的电学特性。
刘翔王章涛崔祥彦邓振波邱海军
关键词:薄膜晶体管灰化光刻胶
一种薄膜晶体管液晶显示器件的阵列结构
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器件的阵列结构,包括:玻璃基板,形成于玻璃基板上的栅线,栅电极,源、漏电极,数据线以及像素电极,其中源、漏电极与栅电极存在交叠部分,其特征在于:漏电极在栅电极上可变交叠区的平均宽度小于必然...
崔祥彦严太镕周爽
文献传递
白光有机电致发光器件最新研究进展被引量:6
2008年
最近白光有机电致发光二极管(White organic light-emitting diode,WOLED)的研究和应用取得了长足的发展。由于WOLED本身无可比拟的优点,用于全色彩有机电致发光显示、照明光源以及液晶显示器的背光源。根据白光器件的不同结构,综述了WOLED最新研究进展,探讨了其中的优缺点,总结了WOLED最新应用成果,并提出了发展高效、稳定的白光器件的新思路。
刘翔邓振波王章涛崔祥彦贾勇
关键词:有机电致发光白光电致发光器件
薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究被引量:6
2008年
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势。结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素。通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s。
刘翔王章涛崔祥彦邓振波邱海军
关键词:薄膜晶体管光刻胶灰化
有机薄膜晶体管(OTFT)的研究进展被引量:5
2007年
有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点,成为下一代显示技术的研究焦点。本文综述了有机薄膜晶体管的研究现状和未来的发展趋势,比较了采用不同材料的OTFT器件的性能,总结了影响OTFT性能的两大主要因素,即栅极绝缘层与有机有源层之间的界面特性和有机有源层与源/漏电极之间欧姆接触电阻的大小,并详细综述了改善OTFT性能的最新方法和研究成果。
刘翔邓振波王章涛崔祥彦贾勇
关键词:有机薄膜晶体管
共1页<1>
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