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张依

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 8篇纳米
  • 6篇单壁
  • 6篇单壁碳纳米管
  • 6篇碳纳米管
  • 6篇纳米管
  • 4篇原貌
  • 4篇金属性
  • 2篇电场
  • 2篇淀积
  • 2篇易控
  • 2篇印刷
  • 2篇印刷技术
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇碳管
  • 2篇气相沉积
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米材料合成
  • 2篇聚酯

机构

  • 8篇北京大学

作者

  • 8篇刘忠范
  • 8篇张锦
  • 8篇张依
  • 6篇张永毅
  • 2篇焦丽颖
  • 2篇姜珊
  • 2篇王星昱
  • 2篇范犇

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种用于纳米材料合成的催化剂的定位方法
本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶...
张锦张永毅张依刘忠范
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一种用于纳米材料合成的催化剂的定位方法
本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶...
张锦张永毅张依刘忠范
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一种制备半导体性单壁碳纳米管的方法
本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在...
张锦张永毅张依刘忠范
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一种制备半导体性单壁碳纳米管的方法
本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在...
张锦张永毅张依刘忠范
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一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法
本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上...
张锦张永毅张依王星昱姜珊刘忠范
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控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法
本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除...
范犇焦丽颖刘忠范张锦张依
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一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法
本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上...
张锦张永毅张依王星昱姜珊刘忠范
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控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法
本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除...
范犇焦丽颖刘忠范张锦张依
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