张庆中
- 作品数：24 被引量：66H指数：5
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种提高微波功率晶体管高频增益的新方法被引量：1
- 2004年
- 利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题。在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内表现出明显的效果。最终使器件具备更高的可靠性,更优的增益特性。
- 郭本青张庆中
- 关键词：增益特性微波功率晶体管高频宽频带旁路电容整流
- 一种高速高压NPN管的研制被引量：1
- 1997年
- 把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。
- 张正元龙绍周刘建华张庆中
- 关键词：半导体器件半导体工艺多晶硅发射极NPN晶体管
- “微电子器件”课程的教学方法被引量：6
- 2014年
- 本文针对我院专业基础课"微电子器件"的课堂教学,进行了教学方法的改进和创新。我们采用先定性再定量、抽象概念形象化及理论与工程实践相结合等灵活多样的教学形式,有效地提高了教学质量。其结果是有助于学生的专业素质、创新思维和动手能力的提高。
- 任敏张波张庆中刘继芝陈勇
- 关键词：微电子器件课堂教学教学方法
- 红外焦平面阵列技术现状和发展趋势被引量：25
- 2005年
- 红外热成像技术是国家安全依赖的主要探测技术手段,已在卫星、导弹、飞机等军事领域获得了广泛的应用。同时随着非致冷红外成像技术的发展,尤其是制造成本大幅度的降低,其在工业、医疗、民用方面的应用也日渐增多。本文介绍了红外焦平面阵列的原理、结构及其分类,着重分析了读出电路的各种性能,并对国内外研制以及生产情况进行了比较。
- 张华斌张庆中
- 关键词：非致冷热成像红外焦平面
- 2.4 GHz微波宽带低噪声放大器的设计被引量：2
- 2006年
- 采用SiGe异质结双极型晶体管来设计具有开关功能低成本的新型放大器MMIC;应用微波相关的理论和方法选择满足本设计指标要求的器件,并利用ADS2004A和APPCAD软件工具对具体电路增益、噪声系数、回波损耗等各项技术指标进行了仿真、设计、优化;最后达到了项目的设计要求,该放大器的研究成功将有助于蓝牙计划和无线局域网的实现。
- 张华斌张庆中陈庆华
- 关键词：异质结微波单片集成电路回波损耗
- 红外接收芯片中I-V转换电路的一种设计实现被引量：1
- 2007年
- 针对CMOS工艺制造的红外接收芯片,本文提出了一种实现光生电流转换到电压的电路设计。通过该设计,红外接收芯片不仅能准确检测几十纳安到几百微安的入射光电流;而且可以在大电流入射时,能有效避免放大器出现饱和失真的情况。
- 贾晓钦罗勇钟山张庆中
- 关键词：红外CMOS
- 非线性基极镇流电阻在大功率音频晶体管中的应用
- 大功率音频晶体管的电流集中现象一直是影响其稳定性,制约其使用寿命的关键问题.国际上传统是采用发射极镇流电阻,以达到缓解电流集中的目的.随着发展,又衍生出各种新的更有效的方法,如发射极PTC热敏镇流电阻、发射极非均匀分布镇...
- 李玉龙张庆中郭本青
- 关键词：二次击穿
- 文献传递
- 基于有源镇流改善射频功率管的热稳定性被引量：1
- 2011年
- 提出一种基于有源电路的基极镇流方案,用以解决射频功率晶体管的电流集中和热稳定性问题。采用传感器检测非均匀结温分布,后级相邻触发电路触发功率器件子单元基极和发射极之间的镇流MOS管,通过分流来缓解电流集中,进而完成器件子单元的过温保护。模拟结果表明,该方案可以有效地实现对功率器件的保护,与传统的无源镇流电阻方法相比,改进后的器件具有更优良的增益特性。单个有源镇流电路仅消耗功率6.5 mW,占用面积为2 530μm2。
- 郭本青文光俊张庆中
- 关键词：射频功率晶体管热稳定性
- 一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
- 2000年
- 提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高小电流β0 ;可适当地增加集电区掺杂浓度 ,减小 τd,同时提高 ICM和 Po。采用该技术后 ,有效集电结的面积约为无阱器件的 50 % ,结电容较小 ,截止频率可提高一倍以上。该技术大大缓解了频率和功率的矛盾 。
- 周蓉胡思福张庆中
- 关键词：功率
- 硅双极功率晶体管镇流技术的改进
- 1999年
- 从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象，提高了器件的可靠性和工作寿命，而且有助于提高器件的功率增益。
- 周蓉胡思福张庆中
- 关键词：硅化物氮化钛镇流电阻双极晶体管功率晶体管
