张珺
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 平面型VDMOS功率管的设计与研究
- 功率VDMOSFET是功率电力电子器件的主流产品之一.它在大功率开关、功率放大器等领域中的应用日益广泛.VDMOSFET具有高输入阻抗,低导通电阻,大输出电流,开关速度快,工作频率高,无二次击穿,安全工作区宽,跨导线性好...
- 张珺
- 关键词：VDMOSFET准饱和效应
- 文献传递
- 投影体与仿射不变量U（P）的极值性质
- 本论文选题隶属于凸几何分析(convex Geometric Analysis)学科，凸几何分析在诸多领域都有着广泛的应用背景．凸几何分析通常被称为凸几何(ConVex Geometry)或凸分析(convex Anal...
- 张珺
- 关键词：凸体几何仿射不变量支撑函数数学规划
- 文献传递
- 小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究被引量：2
- 2005年
- 分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻Rj和MOS沟道电阻Rch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟道中载流子漂移速度由不饱和变为饱和,造成器件在高栅源电压VGS时,器件漏端电流IDS大小与栅源电压VGS无关,从而形成准饱和效应.
- 张珺程东方徐志平
- 关键词：VDMOS准饱和效应导通电阻
- MOS功率管的栅极保护装置
- 本实用新型涉及一种MOS功率管的栅极保护装置，它制作在MOS功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在MOS功率管的栅极(G)与源极(S)之间和栅极(G)与漏极(D)之间，分别各连接一对取向相反的PN结二极管。...
- 徐志平程东方沈伟星张珺
- 文献传递
