您的位置: 专家智库 > >

张艳丽

作品数:8 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇碳纳米管
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米管
  • 4篇生长促进剂
  • 3篇单壁
  • 3篇单壁碳纳米管
  • 3篇电弧放电法
  • 3篇纳米电缆
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇电缆
  • 2篇电缆结构
  • 2篇电子结构
  • 2篇英文
  • 2篇碳管
  • 2篇子结构
  • 2篇纳米尺度效应
  • 2篇管结构
  • 2篇管束
  • 2篇场发射

机构

  • 8篇中国科学院金...

作者

  • 8篇张艳丽
  • 7篇刘畅
  • 6篇成会明
  • 5篇侯鹏翔
  • 5篇王兆钰
  • 1篇张莉莉

传媒

  • 2篇新型炭材料

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
尖锐端头碳纳米管的制备与场发射特性
采用氢电弧法制备了尖锐端头的碳纳米管,获得了具有三种特殊形貌的尖端,即锥形、颈缩形和铅笔状尖端。该特殊形貌的形成可归因于在原料中加入硅及进而形成的结构缺陷。研究了所得碳纳米管的场发射特性,发现其阈值电场较低,仅为3.75...
张艳丽张莉莉侯鹏翔蒋华刘畅成会明
关键词:碳纳米管场发射
文献传递
氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备;阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极,起弧放...
刘畅张艳丽王兆钰成会明
文献传递
氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备;阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极,起弧放...
刘畅张艳丽王兆钰成会明
文献传递
一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法
一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。本发明涉及碳纳米管的制备技术,特别提供了一种电弧放电法合成具有尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式制备,阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极,起弧放电后,石...
刘畅张艳丽侯鹏翔王兆钰成会明
文献传递
一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法
本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术,具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备;阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极,通过不锈钢板上...
刘畅张艳丽侯鹏翔王兆钰成会明
文献传递
氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆的制备(英文)
2013年
采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十微米,直径约为10~30 nm。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅,每根电缆的芯部包含1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳纳米管具有较高的结晶度,其直径主要集中在2.2 nm和1.8 nm。基于实验研究结果,提出了一种纳米电缆的生长机制。所制备的无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆可望用于场效应晶体管等纳电子器件的构建。
张艳丽侯鹏翔刘畅
关键词:同轴纳米电缆单壁碳纳米管氧化硅电弧放电
一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法
本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术,具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备;阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极,通过不锈钢板上...
刘畅张艳丽侯鹏翔王兆钰成会明
尖锐端头碳纳米管的制备与场发射特性(英文)被引量:2
2011年
采用氢电弧法制备了尖锐端头的碳纳米管,获得了具有三种特殊形貌的尖端,即锥形、颈缩形和铅笔状尖端。该特殊形貌的形成可归因于在原料中加入硅粉进而形成的结构缺陷。研究了所得碳纳米管的场发射特性,发现其阈值电场较低,仅为3.75V/mm;场发射电流密度可高达~1.6×105A/cm2;且场发射稳定性好。以上优异的场发射性能归结于该碳纳米管具有良好的结构完整性和独特的尖端结构特征。
张艳丽张莉莉侯鹏翔蒋华刘畅成会明
关键词:碳纳米管场发射
共1页<1>
聚类工具0