戴庆元
- 作品数：82 被引量：154H指数：7
- 供职机构：上海交通大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
- 开关电源转换器开关管驱动自举电路
- 一种半导体技术领域的开关电源转换器开关管驱动自举电路，包括：自举电容、一个低压CMOS反相器、三个高压CMOS反相器、MOS管电压转换机构以及一个开关导通机构。本装置进一步从电路结构上提高功率管的栅极控制电压来减小功率开...
- 褚敏戴庆元金梓才
- 文献传递
- 适用于13.56MHz无源射频标签的稳压电路
- 2010年
- 介绍了一种用于13.56 MHz射频标签的新颖稳压电路结构。采用双路负反馈的方式,分别控制电荷泵两端的电压,可使输出电压稳定在2.8 V;防过压击穿保护电路可使传输管承受高达13 V的感应电压而不被击穿;自动节能电路可防止输出电容上的有限电荷倒流入天线。系统仿真采用华虹NEC的EF130工艺。仿真结果表明：当输入天线电压处于3~7 V之间时,输出电压在2.813~2.826 V之间,完全满足13.56 MHz射频标签中数字模块和EEPROM的电压要求。
- 彭敏朱红卫戴庆元
- 关键词：稳压电路过压击穿误差放大器
- RFID读写器中高集成度的CMOS功率放大器的设计和分析
- 2013年
- 介绍了设计的一个采用0．18μm的CMOS工艺的Class—E类的功率放大器。它可以提供最高为20dB的输出功率，以及输出功率在14．5dB的时候可以达到1dB的输出增益，最大的功率附加效率可以达到32．1％。文中还分析了这款功率放大器的频谱特性和RF协议。
- 黄捷克戴庆元刘冲
- 关键词：功率放大器CLASS-E品质因数Q
- 移动数字电视接收机中宽带RF RSSI的设计被引量：3
- 2011年
- 基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(Gm)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470～860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为-25～-15 dBm,非线性误差小于±1.5 dB,同时功耗仅为7 mW。满足接收机系统要求。
- 褚敏戴庆元蔡新午
- 关键词：接收信号强度指示仪表放大器
- 一种高精度脉宽调制信号移相电路设计
- 2013年
- 设计了一种基于1.5μm BiCMOS工艺下的脉宽调制信号移相电路。该电路可应用于发光二极管驱动芯片中,对调光脉宽调制信号进行移相。电路设计有三种模式以应用在不同的场合,可进行零度、180°和任意度的移相。测试结果表明:在100 Hz到20 kHz脉宽调制信号下,电路的三种模式都能保证信号的精度与移相的稳定。
- 罗超戴庆元
- 关键词：脉宽调制移相
- 芯片设计中串扰噪声的分析与改善被引量：3
- 2004年
- 集成电路设计进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效应,并最终引发了信号完整性问题。在这其中,串扰噪声是一个关键的问题。本文探讨了噪声产生机制并进行定量分析,结合作者实际设计阐述该问题的解决方法。
- 周平戴庆元
- 关键词：集成电路设计超深亚微米信号完整性串扰噪声
- 一种新型电流控制CMOS振荡器电路设计被引量：1
- 2012年
- 设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间引起的上冲、下冲问题,具有良好的可移植性。Cadence Spectre仿真结果表明:-45～125℃范围内,振荡频率和占空比相对中心值的上下偏差分别为5.01%(-)到3.31%(+)、1.95%(-)到1.84%(+);方差分别为0.000 9、0.000 1。
- 徐慧敏戴庆元罗超
- 关键词：振荡器电流控制占空比延迟时间
- 流水线结构模数转换器的分析与设计
- 2012年
- 在混合信号集成电路系统中,模数转换器(ADC)是一个关键的模块。许多现代应用,如高分辨率图像、视频处理及无线通信等,都要求具有高采样率、高精度的模数转换器。流水线结构ADC具有能同时实现高采样速率和高分辨率的特点。对于10bit,1MSample/s以上的ADC系统而言,流水线结构是一种合适的设计方案。芯片采用台积电(TSMC)0.25um,混合信号1P5M+/2P5M2.5V/3.3V CMOS工艺,该工艺提供MIM结构电容。电路典型工作电压为2.5V,在室温下,输入信号为5MHz采样频率100MHz时信号噪声失真比为59.7dB,功耗为102.6mW。
- 唐政媛戴庆元孟海舟胡锦洋
- 关键词：流水线模数转换器比较器校准
- 一种宽调节范围的CMOS二级压控振荡器设计
- 2009年
- 采用数模混合控制负载,引入源极负反馈电阻和交叉耦合结构,设计了一种可以应用于连续频带时钟数据恢复电路的二级环形振荡器(two-stage VCO),设计具有宽工作频率范围、高工作频率、低相位噪声的性能特点。采用TSMC 0.25μm N-阱CMOS工艺参数对所设计的VCO进行了仿真,仿真结果显示在VCO增益(Kvco)保持在300MHz/V左右的情况下,得到了200MHz^1.85GHz的调节范围。
- 叶君青戴庆元钱文荣倪丹
- 0.25μm CMOS工艺10位100MHz流水线型ADC设计被引量：3
- 2006年
- 采用流水线结构完成了一个10位精度100MHz采样频率的模数转换器的设计。该模数转换器采用采样保持电路、8级1.5位和最后一级2位子模数转换器的结构,电路使用全差分和开关电容电路技术。芯片采用台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺,电路典型工作电压为2.5V,在室温下,输入信号为5MHz,采样频率100MHz时信号噪声失真比为59.7dB。
- 姜申飞戴庆元朱红卫陈美娜王冬辉
- 关键词：流水线模数转换器采样保持
