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房润辰

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇淀积
  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 4篇铜互连
  • 4篇阻挡层
  • 4篇互连
  • 3篇刻蚀
  • 3篇扩散阻挡层
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体集成
  • 3篇半导体集成电...
  • 2篇栅电极
  • 2篇十八烷基
  • 2篇籽晶
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇氧
  • 1篇等效
  • 1篇等效电路

机构

  • 11篇复旦大学

作者

  • 11篇房润辰
  • 10篇张卫
  • 10篇孙清清
  • 10篇王鹏飞
  • 6篇周鹏
  • 2篇杨雯
  • 2篇李叶
  • 2篇郑珊

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 7篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法
本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法。本发明采用一层超薄的经过氧气等离子体和紫外光照射处理的SiN刻蚀阻挡层和一层厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN刻蚀阻挡层来形成双层刻...
孙清清房润辰张卫王鹏飞周鹏
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一种用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的新型合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用原子层淀积工艺生长合金薄膜，所得到的合金抗铜扩散阻挡层的一致性和致密性好，可以有效阻止铜在介质中的扩散，而且合金与铜的粘附...
孙清清房润辰张卫王鹏飞周鹏
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砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质的方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质的方法。该方法包括：使用新型的硫钝化剂，与砷化镓表面的自体氧化物发生反应而清洗，并生成...
孙清清房润辰杨雯王鹏飞张卫
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一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法
本发明属于集成电路制造互连领域，具体涉及一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用混合介质（氧化层/金属）来作为抗铜扩散阻挡层，首先，可以有效增强金属对铜的抗扩散能力，并有效防止扩散阻挡层被氧化而失效...
孙清清房润辰郑珊张卫王鹏飞周鹏
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一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的...
孙清清郑珊房润辰张卫王鹏飞周鹏
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一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必...
孙清清李叶房润辰王鹏飞张卫
一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法。本发明使用碳纳米管替代铜作为互连介质，工艺过程简单，而且经过一定的工艺处理可以在互连通孔中得到均匀且平行的碳纳米管，不需要制备扩散阻挡层就可以有...
孙清清房润辰张卫王鹏飞周鹏
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一种低介电常数介质表面去羟基化的方法
本发明属于集成电路互连介质的处理领域，具体涉及一种低介电常数介质表面去羟基化的方法。本发明使用含有三甲基硅基基团的有机物携氢气载气对低介电常数介质表面进行处理，通过化学反应去除低介电常数介质表面的大多数极性羟基基团，并使...
孙清清房润辰张卫王鹏飞周鹏
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一种基于全低温工艺的柔性透明1T1R的制造方法
本发明属于低温原子层淀积技术领域，具体为一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法。本发明通过全低温工艺在柔性衬底上生长全透明的1T1R存储单元，包括透明的氧化层介质、透明电极和透明衬底，这些透明层通过低温工艺淀积到一起，实...
孙清清房润辰杨雯王鹏飞张卫
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基于低温原子层淀积技术的柔性阻变存储器的研究
随着半导体工艺技术的不断发展，人们能够获得的电子产品越来越先进，越来越高端。与此同时，由于诺基亚和苹果对柔性概念机的推出，人们纷纷将目光投向未来的柔性电子产品，目前，柔性电子产品的研究还只是处于探索阶段，虽然已经有一些半...
房润辰
关键词：等效电路
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