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智宇

作品数：17 被引量：74H指数：5
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 6篇化学工程
  • 6篇电气工程
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 11篇陶瓷
  • 6篇介电
  • 5篇正电子
  • 5篇正电子湮没
  • 3篇介质陶瓷
  • 3篇超导
  • 3篇BA
  • 3篇PB
  • 2篇导电
  • 2篇导体
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电陶瓷
  • 2篇钛酸
  • 2篇介电陶瓷
  • 2篇介电特性
  • 2篇介电性
  • 2篇半导体
  • 2篇BATIO
  • 2篇超导陶瓷
  • 2篇Y

机构

  • 14篇浙江大学
  • 8篇华中理工大学
  • 2篇武汉大学

作者

  • 15篇智宇
  • 14篇陈昂
  • 9篇张绪礼
  • 6篇王筱珍
  • 5篇李标荣
  • 4篇韩家平
  • 3篇鲍亚华
  • 2篇王少阶
  • 2篇李晓华
  • 1篇戴希
  • 1篇唐超群
  • 1篇杨敬思
  • 1篇诸葛向彬
  • 1篇周国良
  • 1篇江仲华

传媒

  • 6篇硅酸盐学报
  • 4篇浙江大学学报...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇华中理工大学...

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 5篇1992
  • 2篇1991
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
受主杂质Mn对(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC热敏陶瓷的影响被引量：2
1993年
本文研究了(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体陶瓷中半导化与其烧结工艺、铅空位、钡空位和施、受主杂质等相互之间的关系。着重分析讨论了引入受主杂质Mn对材料的半导化的影响,并采用复合缺陷模型自洽地解释了实验现象。
智宇陈昂张绪礼周国良王筱珍
关键词：PTC陶瓷半导体陶瓷
复合功能陶瓷中的晶界渗流模型被引量：3
1995年
在复合陶瓷材料（金属／陶瓷）中提出了晶界控制的渗流模型，考虑晶界效应对渗流阈值的影响，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟，计算得到三维ＦＣＣ晶格点阵的渗流阈值约为４．５％。该结果与实验数据符合得很好。
陈昂戴希智宇鲍亚华
关键词：渗流晶界陶瓷
BaO－TiO_2系中Ba_2Ti_9O_（20）相形成的研究被引量：31
1996年
研究了ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的形成规律。结果表明：ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中，不加任何添加剂可以合成Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相；在ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中Ｂａ：Ｔｉ＝２：９附近存在一个很窄的单相Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）区；烧结阶段Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的最终合成并不依赖于预烧阶段部分此相的形成；通氧烧结对Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的形成影响不大，但可以抑制钛的变价。实验还发现，Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）陶瓷化学计量比的偏离将导致微波下介电常数的下降。
韩家平张绪礼王筱珍智宇陈昂
关键词：微波介质陶瓷氧化钡氧化钛
Y_1Ba_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y系超导体中Sn替代位置的正电子湮没研究
1992年
元素替代效应已成为研究高温超导陶瓷的重要方法之一,而元素替代的真实位置是讨论替代效应的基本点。正电子湮没技术高度敏感于材料中的电子结构与缺陷机构。自从Jean等人首次报道了在高温超导陶瓷中的正电子湮没谱后,许多工作表明正电子湮没技术也是研究该类材料的有力工具。特别是近来一系列的理论计算与实验研究。
陈昂智宇李标荣张绪礼李晓华王少阶
关键词：超导体正电子湮没高TC
掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没被引量：2
1991年
本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.
唐超群智宇张绪礼
关键词：SRTIO3陶瓷介电性掺杂
BaPbO_3／BaTiO_3系复合陶瓷的研究被引量：6
1995年
报道了导电陶瓷ＢａＰｂＯ＿３与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ＿３进行复合的结果，研究了该复合功能肉瓷的物相、导电性和低温电阻温度特性。结果表明：采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料；该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为。
鲍亚华陈昂智宇韩家平戴希
关键词：铁电陶瓷导电陶瓷复合陶瓷钛酸钡
介电陶瓷及其制造方法
一种介电陶瓷及其制造方法，采用原料配比(按摩尔比)为BaCO<Sub>3</Sub>∶TiO<Sub>2</Sub>∶CeO<Sub>2</Sub>＝1∶1-x∶x(x＝0.05～0.35)放入球磨罐并加去离子水，湿式球...
陈昂智宇智靖韩家平诸葛向彬P·M·VilarinhoJ·L·Baptista
文献传递
Sr_(1-x)La_xTiO_3陶瓷的介电特性与缺陷机构被引量：9
1992年
研究了组份为Sr_(1-x)La_xTiO_3(其中x=0—0.06)陶瓷的介电特性与缺陷机构。发现:当x=0.0005—0.01时,在频率为10~5—10~7Hz范围内,材料出现了介电弛豫现象;而当0.02≤x≤0.05时,在频率为10~3—10~7Hz范围内,材料没有发生介电弛豫。材料的电阻率与La含量的关系呈“U”型曲线变化。作者采用La替代Sr后而产生的电子补偿与锶空位缺陷补偿分別存在或共同存在,以及空间电荷极化机制对上述现象作出了解释。另外由正电子湮没寿命谱得到的有关材料缺陷机构的结论则进一步证明了该解释的合理性。
智宇陈昂张绪礼王筱珍李标荣
关键词：陶瓷钛酸锶电特性
钛酸锶铋介电陶瓷中复合缺陷的正电子湮没研究被引量：1
1992年
用正电子湮没技术测量了 Bi-Sr-Ti-O 系介电陶瓷的正电子寿命谱.基于正电子理论,对该系样品中的寿命谱参数与材料中的缺陷机构进行了分析.结果表明,在固溶区内,当 Bi 含量较低时,材料中仅存在锶空位;而当 Bi 含量较高时,锶空位(V_(Sr))之间及锶空位(V_(Sr))与杂质 Bi_(Sr)之间可缔合成复合缺陷.另一方面,正电子寿命谱也能反映出 Bi 在 SrTiO_3中替代的固溶限.实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂改性的介电陶瓷中微观缺陷机构的有效手段.
陈昂智宇张绪礼王筱珍
关键词：介电陶瓷正电子湮没
YBa＿2Cu＿3O＿（6＋δ）／BaTiO＿3系复合功能陶瓷特性研究
1994年
报道了超导陶瓷ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（６＋δ）与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ＿３进行复合的结果。研究了该复合功能陶瓷的物相、（超）导电性和低温电阻温度特性。结果表明，采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料；该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为，发现在较高ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（６＋δ）含量时，样品呈超导电性，并对此作了初步讨论。
陈昂智宇戴希鲍亚华杨敬思
关键词：超导陶瓷铁电陶瓷超导电性
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