曹明德
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划广州市科技攻关项目科技部科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 涡轮LP-MOCVD研制高亮度红光发光二极管被引量：2
- 2001年
- 采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外延片解理成 30 0 μm× 30 0 μm管芯后 ,在 2 0mA的电流注入情况下 ,得到的发光波长峰值 6 48nm ,平均亮度 38.9mcd ,最高亮度达到4 9.8mcd ,封装成发射角为 15°的LED灯 ,平均亮度达到 2 0 0 0mcd。
- 邓云龙范广涵廖常俊刘颂豪文尚胜刘鹏王浩曹明德刘鲁
- 关键词：发光二极管INGAP涡轮LP-MOCVD
- 超高亮度发光二极管半工业化试验
- 范广涵廖常俊刘鹏邓云龙王浩文尚胜曹明德张国东王廷立陈凯旋庄脱谢广明
- 超高亮度发光二极管LED在国民经济中有广泛的应用，是光电子产业重要产品之一，其半工业化试验项目是产业化的关键步骤。在广州市科委主持下，鉴定专家组对广州亮达光电器件有限公司承担的广州市科委重大攻关项目“超高亮度发光二极管半...
- 关键词：
- 关键词：发光二极管光电子产业
- AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用被引量：4
- 2003年
- 引入渐变理论 ,通过建立AlGaInP四元系材料渐变异质结能带简单模型 ,分析在渐变长度相同、不同渐变方式下导带边的情况 .分析不同掺杂浓度下 ,渐变区长度变化对势垒尖峰值和n区电势能之间差值的影响 .讨论了渐变方式引入高亮度发光二极管 (HB LED)
- 刘鲁范广涵廖常俊曹明德陈贵楚陈练辉
- 关键词：ALGAINP高亮度发光二极管HB-LED半导体材料
- 用于高亮度发光二极管的布拉格反射器研究
- 该论文结合完成的超高亮度发光二极管半工业化试验项目,深入研究了提高发光二极管外量子效率的方法和途径.1 比较了各种提高外量子效率的方法;利用经典电流扩展模型,分析了不同厚度、不同生长质量、不同掺杂浓度、不同工作电流对外量...
- 曹明德
- 关键词：发光二极管外量子效率布拉格反射器
- 文献传递
- 用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究被引量：1
- 2002年
- 从光学传输矩阵出发 ,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质 ,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响 .
- 曹明德范广涵廖常俊刘鲁
- 关键词：DBR布拉格反射器超高亮度发光二极管
- 垂直腔面发射激光器的原理与设计被引量：2
- 2001年
- 阐述了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作原理及器件的设计方案.并设计出激射波长为 980 nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件 结构.
- 邓云龙范广涵廖常俊刘颂豪文尚胜刘鹏王浩曹明德刘鲁
- 关键词：半导体激光器面发射激光器INGAAS氧化物垂直腔面发射激光器
