朱亚旗
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：文化科学电气工程电子电信更多>>
- 高质量In0.68Ga0.32As/InAsxP1-x/InP热光伏电池材料的生长研究
- 本文主要研究了在InP衬底上利用MOCVD外延技术成功生长了晶格失配大于1.1％厚度约为3微米的In0.68Ga0.32As薄膜材料;通过As组分的改变，在InAsxP1-x缓冲层中形成了张应变和压应变相互交替补偿的结构...
- 朱亚旗陆书龙季莲赵勇明谭明
- 关键词：应力释放
- 文献传递
- In_(0.68)Ga_(0.32)As热光伏电池的制作和特性分析被引量：1
- 2012年
- 用在InP衬底上失配生长的能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As制成了热光伏(TPV)电池。对其光伏特性的测试分析表明,通过对As组分渐变的InAsxP1-x缓冲层厚度的优化,可以将晶格失配引起的位错完全弛豫在缓冲层内,从而大幅改善热光伏电池的性能。在AM1.5G标准光谱下,与晶格失配没有被完全弛豫的热光伏电池相比,优化措施可将开路电压从0.19V提高到0.21V,外量子效率在长波处可达到85%,转换效率也提高了30%。
- 谭明季莲赵勇明朱亚旗陈治明陆书龙
- 关键词：热光伏电池开路电压外量子效率
- 基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究被引量：1
- 2013年
- 采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x'虚拟'衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在'虚拟'衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.
- 朱亚旗陈治明陆书龙季莲赵勇明谭明
- 关键词：IN0应力释放
