朱永安
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
- 沉积能量与沉积速率对薄膜生长形貌的影响
- 2014年
- 本文利用各向同性的周期性四方形基底,模拟了沉积能量与沉积速率对薄膜三维形貌的影响。模型主要分析了原子沉积、吸附原子扩散和原子脱附三个过程,同时详细地考虑了四方形基底的最近邻和次近邻的影响。结果表明:沉积能量对薄膜粗糙度、衬底填充比、岛的个数都有明显的影响。沉积速率对薄膜粗糙度的影响较小,在低沉积能量下对填充比和岛的个数影响较小,在高沉积能量下对填充比和岛的个数影响较大。在高沉积能量高沉积速率下,为了提高成膜质量,同时保证成膜效率,适当降低沉积速率比适当降低沉积能量更有效。
- 伍达将唐吉玉崔婧刘洋朱永安
- 关键词：沉积速率粗糙度
- 单层和多层Ehrlich-Schwoebel势垒对薄膜粗糙度随温度变化的影响
- 2015年
- 以Cu为原型,利用动力学蒙特卡洛(KMC)方法模拟了在一定的沉积速率下,单层、多层台阶EhrlichSchwoebel(ES)势及温度对成膜质量的影响.结果表明,在一定沉积速率和ES势垒下,薄膜的粗糙度在一定范围内随着温度的升高而降低,当多层ES势垒大于单层ES势垒时,此温度范围受单层ES势垒的影响,而与多层ES势垒关系不大;当单层ES势垒大于多层ES势垒时,多层ES势垒与粗糙度下降的起始温度密切相关,单层ES势垒与粗糙度趋于平稳的温度相关.
- 崔婧唐吉玉伍达将刘洋朱永安
- 关键词：生长温度粗糙度
- Ge基二维正方晶格光子晶体带隙优化设计被引量：5
- 2014年
- 采用平面波展开法模拟二维光子晶体在E极化和H极化下的能带结构,研究Ge基二维正方品格光子晶体的填充比以及晶格排列结构对最大禁带宽度的影响.结果表明:在空气背景材料中填充Ge柱的介质柱结构中,可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a =0.19～0.47范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.064(归一化频率);在选取Ge为背景材料的空气孔型结构中,同样可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.46～0.49范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.051(归一化频率).同时,不论在介质柱型还是空气孔L型结构中,带隙宽度都随着r/a的增大呈先增大后减小的趋势.
- 刘洋唐吉玉王茜段明正崔婧伍达将朱永安
- 关键词：平面波展开法TE模TM模完全带隙
- InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化
- 2016年
- 基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池（QD-IBSC）结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型,从理论上分析了量子点中间带太阳电池的电压电流特性,定量讨论了量子点层厚度、温度以及n型掺杂对电压电流特性的影响。模拟结果表明：在i层厚度取400nm时转化效率达到最大值14.01%;温度会对量子点中间带太阳电池的电压电流特性产生影响,温度在300-350K范围内,开路电压Voc随温度的升高而明显减小,短路电流Jsc几乎不变;对i区进行n型掺杂会抑制量子点层发挥作用。
- 潘保瑞唐吉玉朱永安何右青陆旭兵
- 关键词：太阳电池INAS/GAAS量子点I-V特性
- 一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计被引量：6
- 2015年
- 该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好。作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20%。
- 朱永安唐吉玉潘保瑞陈俊芳陆旭兵
- 关键词：短路电流伏安特性
- 基于GaInAsN/GaAs量子阱的三结太阳能电池设计及优化
- Ⅲ-Ⅴ族化合物一直以来都是太阳能电池技术的研究热点，量子阱太阳能电池是研制高效率Ⅲ-Ⅴ族复合物半导体太阳能电池的有效途径之一，其理论转换效率可达63.2％。GaInAsN/GaAs合金材料是优秀的太阳能电池材料，前人的研...
- 朱永安
- 关键词：太阳能电池伏安特性传输矩阵优化设计
