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李东升

作品数:137 被引量:94H指数:5
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 76篇专利
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领域

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  • 2篇文化科学
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主题

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  • 8篇纳米线
  • 8篇光致发光
  • 8篇

机构

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作者

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  • 3篇周宁

传媒

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年份

  • 3篇2024
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  • 6篇2020
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  • 8篇2017
  • 9篇2016
  • 6篇2015
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  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 10篇2011
  • 8篇2010
  • 4篇2009
  • 10篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 9篇2005
137 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种硅酸铒晶体和硅纳米晶共镶嵌二氧化硅薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种硅酸铒晶体和硅纳米晶体共镶嵌二氧化硅薄膜及其制备方法和应用,采用反应共溅射制备富硅硅酸铒薄膜,在通过高温热处理得到硅酸铒晶体和硅纳米晶。本发明还公开了在上述薄膜基础上制备得到的低开启电压高效率红外发光二极...
李东升何马军杨德仁
文献传递
二维光子晶体的制备及应用被引量:2
2004年
主要论述二维光子晶体的制备方法和二维光子晶体器件,并着重讨论了光子晶体在未来的光学器件集成方面广阔的应用前景。
方斌李东升赵岳杨德仁
关键词:二维光子晶体光子禁带光子晶体器件
一种金纳米棒的制备方法
本发明公开了一种金纳米棒的制备方法,包括以下步骤:(1)将十六烷基三甲基溴化铵和油酸盐混合制备成溶液,再依次加入可溶性银离子溶液和HAuCl4水溶液,得到生长溶液,并将所述生长溶液均分为至少两份;(2)向步骤(1)中的一...
李东升张汉杰杨德仁
硅基光电“芯”发展
2015年
当你把玩着轻巧的智能手机或是平板电脑时,你可曾想到计算机芯片经历了脱胎换骨的改变。从1958年第一个仅包含一个晶体管、三个电沮和一个电容的集成电路问世,到如今动辄包含10亿个晶体管的处理器芯片,短短50多年时间,芯片研发和制造产业飞速发展。
徐凌波李东升
关键词:计算机芯片光电硅基处理器芯片平板电脑智能手机
PVP辅助制备二氧化硅/银核壳结构颗粒的方法
本发明公开了一种PVP辅助制备二氧化硅/银核壳结构颗粒的方法,采用的是聚乙烯基吡咯烷酮辅助的成核-再长大两步生长工艺,包括以下步骤:1)制备表面吸附纳米银颗粒颗粒的亚微米二氧化硅球;2)在PVP的水溶液中,将步骤1)中得...
李东升刘涛杨德仁
文献传递
直拉硅单晶中位错的光致发光被引量:2
2004年
利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光 .实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于 10 7cm- 2 时 ,位错的发光光谱出现了典型的位错 D1~ D4发光峰 ;而位错密度较低时 ,光谱中没有出现 D1发光峰 .而对于掺氮直拉硅单晶中的位错 ,其发光光谱在 0 .75~ 0 .85 e V范围内均出现了与低位错密度普通直拉硅单晶相同的较宽的谱峰 .而且当含氮直拉硅单晶中位错密度高于 10 7cm- 2 时 ,在 0 .75~ 0 .85 e V范围内则出现了明显的与原生氧沉淀相关的发光峰 .可以认为硅单晶生长过程中引入的位错的发光特性是与位错生成过程中加速了氧沉淀的生成速度以及氮杂质的存在促进氧沉淀生成相关 .
李东升杨德仁S.Pizzini
关键词:位错氧沉淀光致发光
基于多孔硅制备的硅酸铒的光致发光研究
满足通信波长要求的高效的硅基光源是目前硅基光电中亟待解决的首要难题,硅基铒发光波长位于~1.5μm,恰好满足这一需求。硅基掺铒体系由于掺铒浓度较高时有浓度猝灭等问题存在制约了发光强度的提高,所以近年来研究人员转向研究硅基...
沈浩李东升杨德仁
文献传递
一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和应用
本发明公开了一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和在薄膜光波导放大器中的应用。制备方法包括步骤:将有机铒化合物、金属杂质原子的前驱体均匀分散于流动性硅烷树脂中,所得溶胶旋涂于单晶硅片表面,经热处理得到金属杂质原子掺杂...
李东升尚华宝杨德仁
文献传递
制备硫化镉-二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法
本发明公开的制备硫化镉-二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法,包括采用化学水浴沉积法制备单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构和再以单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构自组装制备三维光子晶体。由于硫化镉是一种高折射率材料,在可见光区吸收...
杨德仁李东升谢荣国蒋民华
文献传递
N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响
2009年
采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。
蔡文浩黄建浩李东升杨德仁
关键词:光致发光电致发光
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